| 2011年第3期目录
毫米波与太赫兹技术 40周年专刊 | | | Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备及其表征 | | 崔艳峰,袁声召,王善力,胡古今,褚君浩 | | 2011,30(3):198-201 [摘要(2635)] [PDF 648.82 K (2866)] | | | | 近红外飞秒激光诱导非晶硅薄膜的晶化 | | 戴晔,何敏,阎晓娜,马国宏 | | 2011,30(3):202-205 [摘要(2426)] [PDF 1.20 M (2723)] | | | | 半导体氮化物AlInN的光学性质 | | 蒋立峰,沈文忠,郭其新 | | 2011,30(3):207-211 [摘要(4822)] [PDF 668.88 K (3165)] | | | | CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响 | | 柯福顺,付相宇,段国玉,吴松,王松有,陈良尧,賈瑜 | | 2011,30(3):212-216 [摘要(2639)] [PDF 834.15 K (2756)] | | | | Ag纳米颗粒有机薄膜受激辐射增强研究 | | 赵选科,吴朝新,徐国金,梁世雄,侯洵 | | 2011,30(3):217-221 [摘要(2661)] [PDF 768.45 K (2877)] | | | | 基于非周期极化铌酸锂晶体产生任意频率太赫兹辐射 | | 毋雪,朱巧芬,张岩 | | 2011,30(3):221-223 [摘要(2474)] [PDF 546.09 K (3055)] | | | | 退火对用PLD法制备ZnO薄膜的发光影响 | | 魏显起,王勇杰,张仲 | | 2011,30(3):224-228 [摘要(2503)] [PDF 580.41 K (3166)] | | | | Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响 | | 张蕾,邢怀中,黄燕,张会媛,王基庆 | | 2011,30(3):229-233 [摘要(3376)] [PDF 655.60 K (3026)] | | | | 掺杂浓度对BaF2:PbWO4闪烁晶体闪烁性质的影响 | | 万尤宝,吴宇容,张建新,杨培志,肖林荣,杨辉 | | 2011,30(3):232-235 [摘要(2652)] [PDF 744.08 K (2661)] | | | | 等离子体辅助电子束蒸发低温制备SiO2纳光子薄膜 | | 盛明裕,赵源,刘富强,胡巧多,郑玉祥,陈良尧 | | 2011,30(3):237-241 [摘要(2678)] [PDF 1.33 M (2976)] | | | | 半无限板条中任意形亚表面缺陷的热波散射 | | 马晓波,谈和平,胡 超 | | 2011,30(3):242-246 [摘要(2902)] [PDF 465.39 K (2652)] | | | | 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能 | | 包西昌,张文静,刘诗嘉,李超,李向阳 | | 2011,30(3):246-249 [摘要(2565)] [PDF 808.58 K (2770)] | | |
红外学科交叉融合研究 毫米波与太赫兹技术 红外物理与材料器件 | | | 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片 | | 叶振华,黄建,尹文婷,冯婧文,陈洪雷,陈路,廖清君,林春,胡晓宁,丁瑞军,何力 | | 2011,30(3):260-262 [摘要(2638)] [PDF 676.61 K (3179)] | | |
红外光电系统与应用技术 红外物理与材料器件 红外光电系统与应用技术 红外光谱与遥感技术 红外光电系统与应用技术
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