Alessandro Tredicucci

 University Pisa,Pisa  Italy;

Antoni Rogalski

Institute of Applied Physics, Military University of Technology,Warsaw, Poland；

BECKER C R, 

Physical Institute of the University

Wurzburg,Wurzburg, Germany；

CAI Yi （蔡毅）,

Kunming Institute of Physics,Kunming, China；

DAI Ning(戴宁),

SITP,Shanghai,China；

DU Chao-Hai（杜朝海）

Beijing University,Beijing,China；

FANG JiaXiong(方家熊)，

SITP,Shanghai,China；

FENG SongLin(封松林)，

Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,China；

FENG ZhengHe(冯正和)，

Tsinghua University,Beijing,China；

FU Y,

Royal Institute of Technology,

Goteborg Sweden；

GAO JianJun(高建军)，

East China Normal University,Shanghai,China；

GE WeiKun(葛维琨),

Hong Kong University of Science and Technology,Hongkong,China；

GONG HuiXing(龚惠兴)，

SITP,Shanghai,China；

GUI YongSheng(桂永胜),

University of Manitoba,Manitoba,Canada；

HAN JianZhong(韩建忠)，

CETC,Beijing,China；

HU Wei-DA（胡伟达）

SITP,Shanghai,China；

HU ZhiGao(胡志高),

East China Normal University,Shanghai,China；

HUANG DaMing(黄大鸣)，

Fudan University, Shanghai, China；

HUANG Zhi-Ming（黄志明）

SITP,Shanghai,China；

JIANG MinHua(蒋民华),

Shan Dong University,Jinan,China；

LIU PuKun(刘濮鲲),

Beijing University,Beijing,China；

LUO  QingMing(骆清铭),

Hainan University, Haikou, China；

NEMIROVSKY  Y，

Technion-Israel Institute of Technology,Technion City, Israel；

PAN DeLu(潘德炉),

Second Institute of Oceanography,Beijing,China；

QIU KangMu(邱康睦),

National Satellite Meteorological Center,Beijing,China；

Rui Q. Yang,

University of Oklahoma,,Oklahoma，U.S.A;

SAKAI  K， 

Kansai Advanced Research Center,Kobe, Japan；

SHEN WenZhong(沈文忠),

Shanghai Jiaotong University,Shanghai,China；

SHEN XueChu(沈学础),

SITP,Shanghai,China；

Sivalingam Sivananthan，

University of Illinois ,Chicago, U.S.A.；

SIZOV  F F， 

Institute of Semiconductor Physics,Kiev, Ukraine；

SUN XiaoWei(孙晓玮)，

Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,China；

WU HuiZhen(吴惠桢)，

Zhejiang University,Hangzhou,China；

WU Qun(吴群)，

Harbin Institute of Technology,Harbin,China；

WU XiaoGuang(吴晓光)，

Institute of Semiconductors , CAS,Beijing,China；

XIA YiBen(夏义本),

Shanghai University,Shanghai,China；

XU JingJun(许京军),

Nankai University,Tianjin,China；

XU He-Xiu(许河秀),

Air Force Engineering University,Xi'an,China；

XU Gang-Yi（徐刚毅），

SITP,Shanghai,China；

XU ShanJia(徐善驾)，

University of Science and Technology of China,Hefei,China；

YANG Jie(杨杰)，

Shanghai Jiaotong University,Shanghai,China；

Yong-Hang Zhang,

Arizona State University,Arizona，U.S.A;

YU GuoFen(余国芬),

University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu,China；

YU WenXian(郁文贤),

Shanghai Jiaotong University,Shanghai,China；

Yu.P.Yakovlev

Ioffe Physical-Technical Institute RAS,St.Petersburg, Russia;

ZHANG JianQi(张建奇),

Xidian University,Xi'an,China；

ZHANG TianXu(张天序),

Huazhong University of Science and Technology,Wuhan, China；

ZHANG X C,

Rensselaer Polytechnic Institute,Rensselaer,USA；

ZHANG XinYi(张新夷),

Fudan University,Shanghai,China；

ZHENG YouLiao(郑有炓),

Nanjing University,Nanjing,China；

ZHOU LiWei(周立伟),；

Beijing Institute of Technology,Beijing,China

ZHUANG ZhaoWen(庄钊文),

National University of Defense Technology,Changsha,China；

ZRENNER A, 

University of Paderborn,Paderborn, Germany