Alessandro Tredicucci

 University Pisa,Pisa  Italy;

Antoni Rogalski

Institute of Applied Physics, Military University of Technology,Warsaw, Poland；

BECKER C R, 

Physical Institute of the University

Wurzburg,Wurzburg, Germany；

CAI Yi （蔡毅）,

Kunming Institute of Physics,Kunming, China；

CAO Jun-Cheng（曹俊诚）

Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,China；

CHEN Fan-Sheng(陈凡胜)，

SITP,Shanghai,China；

DAI Ning(戴宁),

SITP,Shanghai,China；

DU Chao-Hai（杜朝海）

Beijing University,Beijing,China；

FANG Jia-Xiong(方家熊)，

SITP,Shanghai,China；

FENG Song-Lin(封松林)，

Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,China；

FENG Zheng-He(冯正和)，

Tsinghua University,Beijing,China；

FU Y,

Royal Institute of Technology,

Goteborg Sweden；

GAO JianJun(高建军)，

East China Normal University,Shanghai,China；

GE Jun(葛军),

SITP,Shanghai,China；

GE Wei-Kun(葛维琨),

Hong Kong University of Science and Technology,Hongkong,China；

GONG Hui-Xing(龚惠兴)，

SITP,Shanghai,China；

GUI Yong-Sheng(桂永胜),

University of Manitoba,Manitoba,Canada；

HAN Jian-Zhong(韩建忠)，

CETC,Beijing,China；

HE Zhi-Ping（何志平），

SITP,Shanghai,China；

HU Min（胡旻），

UESTC,Chengdu,China

HU Wei-DA（胡伟达）

SITP,Shanghai,China；

HU Zhi-Gao(胡志高),

East China Normal University,Shanghai,China；

HUANG Da-Ming(黄大鸣)，

Fudan University, Shanghai, China；

HUANG Zhi-Ming（黄志明）

SITP,Shanghai,China；

LIU Pu-Kun(刘濮鲲),

Beijing University,Beijing,China；

LUO  Qing-Ming(骆清铭),

Hainan University, Haikou, China；

NIU Zhi-Chuan（牛智川）

Institute of Semiconductors，Beijing,China；

NEMIROVSKY  Y，

Technion-Israel Institute of Technology,Technion City, Israel；

Manijeh Razeghi，

Northwestern University，USA

PAN DeLu(潘德炉),

Second Institute of Oceanography,Beijing,China；

QIU Kang-Mu(邱康睦),

National Satellite Meteorological Center,Beijing,China；

Rui Q. Yang,

University of Oklahoma,,Oklahoma，U.S.A;

SAKAI  K， 

Kansai Advanced Research Center,Kobe, Japan；

SHEN WenZhong(沈文忠),

Shanghai Jiaotong University,Shanghai,China；

SHEN Xue-Chu(沈学础),

SITP,Shanghai,China；

Sivalingam Sivananthan，

University of Illinois ,Chicago, U.S.A.；

SIZOV  F F， 

Institute of Semiconductor Physics,Kiev, Ukraine；

SUN Xiao-Wei(孙晓玮)，

Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,China；

WU Hui-Zhen(吴惠桢)，

Zhejiang University,Hangzhou,China；

WU Qun(吴群)，

Harbin Institute of Technology,Harbin,China；

WU Xiao-Guang(吴晓光)，

Institute of Semiconductors , CAS,Beijing,China；

XIA Yi-Ben(夏义本),

Shanghai University,Shanghai,China；

XU Jing-Jun(许京军),

Nankai University,Tianjin,China；

XU He-Xiu(许河秀),

Air Force Engineering University,Xi'an,China；

XU Gang-Yi（徐刚毅），

SITP,Shanghai,China；

XU Shan-Jia(徐善驾)，

University of Science and Technology of China,Hefei,China；

YANG Jie(杨杰)，

Shanghai Jiaotong University,Shanghai,China；

YE Zhen-Hua(叶振华)，

SITP,Shanghai,China；

Yong-Hang Zhang,

Arizona State University,Arizona，U.S.A;

YU Guo-Fen(余国芬),

University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu,China；

YU Wen-Xian(郁文贤),

Shanghai Jiaotong University,Shanghai,China；

Yu.P.Yakovlev

Ioffe Physical-Technical Institute RAS,St.Petersburg, Russia;

ZHANG Bing（张兵）

AIR,CAS,Beijing,China；

ZHANG Jian-Qi(张建奇),

Xidian University,Xi'an,China；

ZHANG Tian-Xu(张天序),

Huazhong University of Science and Technology,Wuhan, China；

ZHANG X C,

Rensselaer Polytechnic Institute,Rensselaer,USA；

ZHANG XinYi(张新夷),

Fudan University,Shanghai,China；

ZHENG You-Liao(郑有炓),

Nanjing University,Nanjing,China；

ZHOU Li-Wei(周立伟),；

Beijing Institute of Technology,Beijing,China

ZHUANG Zhao-Wen(庄钊文),

National University of Defense Technology,Changsha,China；

ZRENNER A, 

University of Paderborn,Paderborn, Germany