毫米波单片有源混频器的研制
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引用本文:严蘋蘋,洪伟,陈继新.毫米波单片有源混频器的研制[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2008,27(5):
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严蘋蘋  洪伟  陈继新
基金项目:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划)
中文摘要:采用OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.
中文关键词:混频器  砷化镓  毫米波  变频增益  隔离度
 
DESIGN AND IMPLEMENTATION OF A MILLIMETER WAVE ACTIVE MIXER MMIC
YAN Pin-Pin  HONG Wei  CHEN Ji-Xin
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Copyright:《Journal of Infrared And Millimeter Waves》