单晶硅材料电致双折射的研究
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引用本文:张玉红,陈占国,贾刚,时宝,任策,刘秀环,武文卿.单晶硅材料电致双折射的研究[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2008,27(3):165~169
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张玉红  陈占国  贾刚  时宝  任策  刘秀环  武文卿
张玉红(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012;吉林建筑工程学院,吉林,长春,130021)
;陈占国(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012)
;贾刚(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012)
;时宝(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012)
;任策(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012)
;刘秀环(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012)
;武文卿(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012)
基金项目:国家自然科学基金 , 中俄协议项目
中文摘要:首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量X(3)的分量X(3)xyxy.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为⊿n=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为⊿n'=2.42×10-16E2.50.
中文关键词:克尔效应  弗朗兹-凯尔迪什效应  电致双折射  三阶非线性极化率张量  偏振态
 
RESEARCH ON ELECTRO-INDUCED BIREFRINGENCE IN CRYSTAL SILICON
ZHANG Yu-Hong  CHEN Zhan-Guo  JIA Gang  SHI Bao  REN Ce  LIU Xiu-Huan  WU Wen-Qing
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