1.云南师范大学 能源与环境科学学院，云南 昆明 650092;2.中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京100083;3.中国科学技术大学 量子信息与量子科技前沿协同创新中心，安徽 合肥230026;4.华南师范大学 华南先进光电子研究院，广东省光信息材料与技术重点实验室，电子纸显示技术研究所，国家绿色光电子国际联合研究中心，广东 广州 510006
E-mail：
TN213
1.School of Energy and Environment Science， Yunnan Normal University， Kunming 650092， China;2.State Key Laboratory for SLs and Microstructures， Institute of Semiconductors， Chinese Academy of Sciences， Beijing 100083， China;3.Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics， University of Science and Technology of China， Hefei 230026， China;4.National Center for International Research on Green Optoelectronics， Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology， Institute of Electronic Paper Displays， South China Academy of Advanced Optoelectronics， South China Normal University， Guangzhou 510006， China
Supported by the National Natural Science Foundation of China （61774130， 11474248， 61790581， 51973070）， and the Ph.D. Programs Foundation of Ministry of Education of China （20105303120002）， National Key Technology Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology of China （2018YFA0209101）.
魏国帅,郝瑞亭,郭杰,马晓乐,李晓明,李勇,常发冉,庄玉,王国伟,徐应强,牛智川,王耀.利用分子束外延生长高质量应变平衡InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格[J].红外与毫米波学报,2021,40(5):595~604]. WEI Guo-Shuai, HAO Rui-Ting, GUO Jie, MA Xiao-Le, LI Xiao-Ming, LI Yong, CHANG Fa-Ran, ZHUANG Yu, WANG Guo-Wei, XU Ying-Qiang, NIU Zhi-Chuan, WANG Yao. High quality strain-balanced InAs/InAsSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy[J]. J. Infrared Millim. Waves,2021,40(5):595~604.]
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