大功率单路和功率合成式100~115GHz 肖特基平衡式二倍频器
投稿时间:2020-02-27  修订日期:2021-01-11  点此下载全文
引用本文:田遥岭,黄昆,岑冀娜,唐川云,林长星,张健.大功率单路和功率合成式100~115GHz 肖特基平衡式二倍频器[J].红外与毫米波学报,2021,40(1):13~18].TIAN Yao-Ling,HUANG Kun,CEN Ji-Na,TANG Chuan-Yun,Lin Chang-Xing,ZHANG Jian.High power single and power-combined 100~115GHz Schottky balanced doublers[J].J.Infrared Millim.Waves,2021,40(1):13~18.]
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作者单位E-mail
田遥岭 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
272036657@qq.com 
黄昆 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
 
岑冀娜 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
 
唐川云 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200  
林长星 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
linchangxing@mtrc.ac.cn 
张健 电子科技大学 电子科学与工程学院四川 成都 611731 jianzhang@uestc.edu.cn 
中文摘要:研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超过13.6%。另外,采用了不同的双路合成结构来实现两种不同的合成式110 GHz倍频器。该功率合成式倍频器在两只127 μm 厚的 ALN 基片上焊接了四个分立的肖特基二极管。在800 mW的驱动功率下,两种合成式倍频器都测得了大于200 mW的输出功率,证明了利用该合成式倍频结构可实现更高输出功率。
中文关键词:110GHz  平衡式二倍频  肖特基  功率合成
 
High power single and power-combined 100~115GHz Schottky balanced doublers
Abstract:The research on high power 110GHz single and power-combined frequency doublers based on discrete diodes is presented in this paper. The doubler with a single Schottky diode circuit has a measured peak efficiency of 33% and bandwidth over 13.6%. Meanwhile, two different architectures with two single devices adding in-phase have been utilized to realize the power-combined doublers. The combined doubler features four discrete Schottky diodes with twelve junctions altogether soldered on two 127μm-thick ALN substrates. Both devices have demonstrated output powers more than 200mW with a pumping power over 800mW and are capable of providing more power for higher driven power.
keywords:110GHz  balanced doubler  Schottky  power-combinedPACS: 85.30.Hi  85.30. Kk  84.30.Vn  07.57.Hm
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