（英）利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器
投稿时间：2020-02-15  修订日期：2020-11-11  点此下载全文
引用本文：袁野,苏向斌,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,张宇,倪海桥,徐应强,牛智川.（英）利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器[J].红外与毫米波学报,2020,39(6):667~670].YUAN Ye,SU Xiang-Bin,YANG Cheng-ao,ZHANG Yi,SHANG Jin-Ming,XIE Sheng-Wen,ZHANG Yu,NI Hai-Qiao,XU Ying-Qiang,NIU Zhi-Chuan.Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers[J].J.Infrared Millim.Waves,2020,39(6):667~670.]
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袁野 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		626054165@qq.com 
苏向斌 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		 
杨成奥 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		 
张一 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		 
尚金铭 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		 
谢圣文 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		 
张宇 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		zhangyu@semi.ac.cn 
倪海桥 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		 
徐应强 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 		 
牛智川 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049
北京量子信息科学研究院，北京 100193
山西大学 物理与电子工程学院 固体量子材料中心实验室，山西 太原 030006 		zcniu@semi.ac.cn 
中文摘要:通过MBE外延系统生长了1.3 μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能，InAs量子点的最优生长温度被标定为520 ℃，并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100 μm，腔长2 mm的激光器单管器件，在未镀膜的情况下，达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作，阈值电流密度为110 A/cm-2，在80℃下仍然可以实现连续工作，在50 ℃以下范围内，特征温度达到405 K.
中文关键词:量子点激光器  分子束外延  特征温度  中红外
 
Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers
Abstract:GaAs-based 1.3 μm InAs quantum dot laser have been grown by MBE system. Under the optimized InAs quantum dots growth temperature of 520℃， and the methods of Be-doping in the active region are adopted for better device performance. With a ridge width of 100 μm and cavity length of 2 mm， the maximum output power of single facet without coating has reached up to 1008 mW under continuous wave （CW） operation at room temperature， and the threshold current density is 110 A/cm2. The QD lasers can still operate at continuous waves （CW） up to 80℃， and the characteristic temperature below 50℃ is as high as 405 K.
keywords:quantum dot laser  molecular beam epitaxy  characteristics temperature  mid-infrared
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