一种采用双耦合等效跨导增强技术的94GHz CMOS LNA
投稿时间:2019-10-15  修订日期:2020-03-24  点此下载全文
引用本文:张凯娟,石春琦,张润曦.一种采用双耦合等效跨导增强技术的94GHz CMOS LNA[J].红外与毫米波学报,2020,39(3):306~310].ZHANG Kai-Juan,SHI Chun-Qi,ZHANG Run-Xi.A 94GHz CMOS LNA utilizing dual-coupling Gm-boosting technique[J].J.Infrared Millim.Waves,2020,39(3):306~310.]
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张凯娟 华东师范大学 微电子电路与系统研究所 kjzhang1994@outlook.com 
石春琦 华东师范大学 微电子电路与系统研究所 cqshi@ee.ecnu.edu.cn 
张润曦 华东师范大学 微电子电路与系统研究所 rxzhang@ee.ecnu.edu.cn 
基金项目:华东师范大学“幸福之花”先导研究基金项目华东师范大学“幸福之花”先导研究基金项目
中文摘要:采用55 nm CMOS工艺,设计了一款应用于毫米波成像系统的94 GHz低噪声放大器(LNA)。提出一种双耦合等效跨导增强技术,在提高增益的同时,实现良好的宽带输入匹配。使用中和电容技术和共栅管栅端短接技术,进一步提高增益,并保证放大器的高频稳定性。芯片测试结果表明,LNA的小信号增益最大值达到14.2 dB,3 dB带宽为87.1~95 GHz,噪声系数为6.7 dB,输入1 dB压缩点为-13 dBm。
中文关键词:双耦合等效跨导增强  低噪声放大器  毫米波  共栅管栅端短接
 
A 94GHz CMOS LNA utilizing dual-coupling Gm-boosting technique
Abstract:A 94 GHz mm-Wave LNA targeted for imaging system is designed and fabricated in 55 nm CMOS process. The dual-coupling gm-boosting technique is proposed to achieve high gain and wide-band input matching. Meanwhile, in order to improve the gain and ensure the stability of the proposed LNA, the capacitance neutralization method and the common-gate-shorting technique are simultaneously introduced. The measurement results indicate that the LNA achieves a small signal gain of 14.2 dB, a BW-3dB of 87.1~95 GHz, a NF of 6.7dB as well as an input-referred 1 dB compression point of -13 dBm.
keywords:Dual-coupling gm-boosting technique  Low noise amplifier (LNA)  mm-Wave  Common-gate-shorting technique
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