碲镉汞雪崩焦平面器件
投稿时间:2019-01-09  修订日期:2019-07-08  点此下载全文
引用本文:李浩,林春,周松敏,郭慧君,王溪,陈洪雷,魏彦锋,陈路,丁瑞军,何力.碲镉汞雪崩焦平面器件[J].红外与毫米波学报,2019,38(5):587~590].LI Hao,LIN Chun,ZHOU Song-Min,GUO Hui-Jun,WANG Xi,CHEN Hong-Lei,WEI Yan-Feng,CHEN Lu,DING Rui-Jun,HE Li.HgCdTe avalanche photodiode FPA[J].J.Infrared Millim.Waves,2019,38(5):587~590.]
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李浩 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083
中国科学院大学北京 100049 
lihaoxzy@163.com 
林春 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083
上海科技大学上海 201210 
 
周松敏 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
郭慧君 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
王溪 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
陈洪雷 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
魏彦锋 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
陈路 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
丁瑞军 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
何力 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083  
基金项目:国家自然科学基金 61705247国家自然科学基金(61705247)
中文摘要:碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56 μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为1616.焦平面器件在0~6 V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2.
中文关键词:碲镉汞  雪崩光电二极管  焦平面  噪声等效光子数  过剩噪声因子
 
HgCdTe avalanche photodiode FPA
Abstract:HgCdTe APD is one of the developing trends of third generation inferred FPA detectors. In this paper we report the result on a 1616 arrays of HgCdTe avalanche photodiode with 3.56 μm cutoff wavelength. The operability in gain exceeds 90% and relative gain dispersion is lower than 20%. NEPh is about 60 at 6 V bias with excess noise factor close to 1.2.
keywords:HgCdTe  APD  FPA  NEPh  excess noise factor.
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