| 毫米波单片有源混频器的研制 |
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| 引用本文：严蘋蘋,洪伟,陈继新.毫米波单片有源混频器的研制[J].红外与毫米波学报,2008,27(5):]..DESIGN AND IMPLEMENTATION OF A MILLIMETER WAVE ACTIVE MIXER MMIC[J].J.Infrared Millim.Waves,2008,27(5):.] |
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| 严蘋蘋 洪伟 陈继新 |
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| 基金项目:国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 中文摘要:采用OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB. |
| 中文关键词:混频器 砷化镓 毫米波 变频增益 隔离度 |
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| DESIGN AND IMPLEMENTATION OF A MILLIMETER WAVE ACTIVE MIXER MMIC |
| YAN Pin-Pin HONG Wei CHEN Ji-Xin |
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