国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)
采用OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.
严蘋蘋,洪伟,陈继新.毫米波单片有源混频器的研制[J].红外与毫米波学报,2008,27(5):]. YAN Pin-Pin, HONG Wei, CHEN Ji-Xin. DESIGN AND IMPLEMENTATION OF A MILLIMETER WAVE ACTIVE MIXER MMIC[J]. J. Infrared Millim. Waves,2008,27(5).]