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首页 > 过刊浏览>1999年第18卷第6期 >417-422
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用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的光学性质
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TN304.12

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国家自然科学基金!(编号: 69577017)


OPTICAL PROPERTIES OF NANOMETER SILICON PREPARED BY SILICON ION IMPLANTED INTO SiO_2 LAYERS
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    报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO2 层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系.实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO2 层的缺陷发光.在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强.纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应.在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果.

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引用本文

丁琨 李国华.用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的光学性质[J].红外与毫米波学报,1999,18(6):417~422]. DING Kun LI Guo Hua HAN He Xiang WANG Zhao Ping. OPTICAL PROPERTIES OF NANOMETER SILICON PREPARED BY SILICON ION IMPLANTED INTO SiO_2 LAYERS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1999,18(6):417~422.]

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