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GeSi／Si多量子阱光波模特性分析的吸收层结构设计
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TN252

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国家自然科学基金


ANALYSIS AND OPTIMUM DESIGN ON GeSi/Si MQW OPTICAL WAVEGUIDE AND ABSORBTION LAYER
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    根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程，分析了在以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中，Ｇｅ含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响，并结合吸收特点对ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计 。

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引用本文

李娜 李国正. GeSi／Si多量子阱光波模特性分析的吸收层结构设计[J].红外与毫米波学报,1998,17(3):203~208]. LI Na, LI Ning, LU Wei, SHEN Xue-Chu, Li Guo-zheng, LIU En-ke. ANALYSIS AND OPTIMUM DESIGN ON GeSi/Si MQW OPTICAL WAVEGUIDE AND ABSORBTION LAYER[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(3):203~208.]

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  • 最后修改日期:1997-09-22
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