TN253
中国科学院上海冶金研究所青年科学基金资助项目
设计并制作了带有集成透镜的1×4 InGaAs/InP pin探测器阵列.对器件纵向和横向结构参数及集成InP透镜几何参数进行了模拟设计与优化.器件带宽达1.0GHz,对宽带波分复用、光互连以及光计算网络有重要应用价值.
肖德元,任琮欣,陈学良.单片集成透镜高速1×4InGaAs/InPpin探测器阵列研究[J].红外与毫米波学报,1994,13(5):]. Xiao Deyuan Ren Zhongxin Cheng Xueliang.[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(5).]