O434.33
国家自然科学基金
对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．
程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华. MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):]. Cheng Xingkui. INTERSUBBAND INFRARED ABSORPTION IN GaAs/AlGaAs MULTIQUANTUM WELL GROWN BY MOCVD[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(1).]