背景辐射对0.1eVHgCdTe光导探测器性能的影响
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    ——详细计算并讨论了背景辐射对0.1eVHgCdTe(77K)光电导探测器性能的影响以及接近或达到背景辐射限的条件.在计算中,除考虑到辐射在探器中的多次反射外,还考虑了探测器的表面复合以及厚度的变化.并由过(?)载(?)子的连续性方程,导出了探测器量子效率的普遍表达式.

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引用本文

黄建新,方家熊,汤定元.背景辐射对0.1eVHgCdTe光导探测器性能的影响[J].红外与毫米波学报,1989,8(1):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1989,8(1).]

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