Hg_(1-x)Cd_xTe材料的EB1V研究
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    扫描电镜的电子束感生电压技术(SEM-EBIV)是研究半导体材料的有效手段,可以直观地显示材料中存在的势垒区。对N-Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te材料作适当的表面处理后,我们用蒸发的方法在材料表面淀积一层金属Pt,以形成M-S整流接触;把In直接焊到金属膜上作为电极。在国产DX-3A型扫描电镜上,采用EBIV技术在温度100K对这种结构进行了研究。直接观察到在金属膜周围

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

方晓明,陈伯良,俞锦陛. Hg_(1-x)Cd_xTe材料的EB1V研究[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期: