用自动扩展电阻探针仪测量HgCdTe晶片微区电阻率分布
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    测量HgCdTe组分均匀性已有许多方法,但有些方法中仪器设备昂贵。而较为简单的方法,只能估算晶片的平均组分,不能测组分分布。我们采用我所和复旦大学共同研制的SR-2自动扩展电阻探针仪,测量HgCdTe晶体微区电阻率分布,由此反映HgCdTe横向组分均匀性,获得了满意的结果,认为它是一种简便、实用而又比较精确的方法。

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引用本文

陈咬齐,林先齐,刘激鸣.用自动扩展电阻探针仪测量HgCdTe晶片微区电阻率分布[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]

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