(英)数字递变异变赝衬底上2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进
投稿时间:2018-10-24  修订日期:2019-01-07  点此下载全文
引用本文:师艳辉,马英杰,顾溢,陈星佑,杨楠楠,龚谦,张永刚.(英)数字递变异变赝衬底上2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进[J].红外与毫米波学报,2019,38(3):275~280].SHI Yan-Hui,MA Ying-Jie,GU Yi,CHEN Xing-You,YANG Nan-Nan,GONG Qian,ZHANG Yong-Gang.Improved performances of 2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates[J].J.Infrared Millim.Waves,2019,38(3):275~280.]
摘要点击次数: 246
全文下载次数: 280
作者单位E-mail
师艳辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 yhshi@mail.sim.ac.cn 
马英杰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室  
顾溢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 ygu@mail.sim.ac.cn 
陈星佑 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室  
杨楠楠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室  
龚谦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室  
张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室  
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
中文摘要:本文研究了In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As数字递变异变缓冲层结构(DGMB)的总周期数对2.6 μm延伸波长In0.83Ga0.17As光电二极管性能的影响。实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP衬底上生长的In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As DGMB结构的总周期数从19增加到38,其上所生长的In0.83Ga0.17As/In0.83Al0.17As光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善。对于在总周期数为38的DGMB上外延的In0.83Ga0.17As光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99.8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制。这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度。
中文关键词:数字递变,异变,缓冲,InGaAs,光电探测器
 
Improved performances of 2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates
Abstract:Impacts of the total period number for the In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As digitally-graded metamorphic buffer (DGMB) on the performances of 2.6 μm In0.83Ga0.17As photodiodes (PDs) have been investigated. An increase of the total period number from 19 to 38 for the In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As DGMB with the same thickness has shown improved crystal qualities for the In0.83Ga0.17As/In0.83Al0.17As photodiode layers grown on such pseudo-substrates. An increased strain relaxation degree up to 99.8%, a reduced surface roughness, enhanced photoluminescence intensities as well as photo responsivities, and suppressed dark currents are observed simultaneously for the In0.83Ga0.17As photodiode on the DGMB with a period number of 38. These results suggest that with more periods, DGMB can restrain the transmission of the threading dislocations more efficiently and reduce the residual defect density.
keywords:digital-grading, metamorphic, buffer, InGaAs, photodetectors
查看全文  HTML  查看/发表评论  下载PDF阅读器

版权所有:《红外与毫米波学报》编辑部