硒化温度对Cu(In, Al)Se2薄膜结构和光学性质的影响
投稿时间:2014-11-10  修订日期:2015-09-23  点此下载全文
引用本文:曹辉义,邓红梅,崔金玉,孟宪宽,张俊,孙琳,杨平雄,褚君浩.硒化温度对Cu(In, Al)Se2薄膜结构和光学性质的影响[J].红外与毫米波学报,2015,34(6):726~730].CAO Hui-Yi,DENG Hong-Mei,CUI Jin-Yu,MENG Xian-Kuan,ZHNAG Jun,SUN Lin,YANG Ping-Xiong,CHU Jun-Hao.The influence of selenization temperatures on the structural and optical properties of Cu (In, Al) Se2 thin films[J].J.Infrared Millim.Waves,2015,34(6):726~730.]
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作者单位E-mail
曹辉义 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室 huiyicao1234@163.com 
邓红梅 上海大学 微结构实验室  
崔金玉 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室
绥化学院 电气工程学院 
 
孟宪宽 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室  
张俊 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室  
孙琳 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室  
杨平雄 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室 pxyang@ee.ecnu.edu.cn 
褚君浩 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室  
基金项目:国家自然科学基金项目(61376129 和61474045)和国家重点基础研究项目(2013CB922300)共同资助。
中文摘要:采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In, Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540 ℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为1.34 eV,对应太阳电池理论最大效率的吸收层材料禁带宽度.
中文关键词:Cu(In, Al)Se2  薄膜  硒化温度
 
The influence of selenization temperatures on the structural and optical properties of Cu (In, Al) Se2 thin films
Abstract:Cu(In, Al)Se2 (CIAS) thin films have been obtained by rapid thermal processing selenization of magnetron sputtering Cu-In-Al precursor thin films. The influence of selenization temperatures on the structural and optical properties of CIAS thin films has been investigated. The result reveals that the crystal structure of CIAS thin films depends on selenization temperature and the band gap energy has a red shift with the increase of selenization temperature. It is noted that the optimum selenization temperature of the CIAS thin films is 540℃, and it has a pure chalcopyrite structure with a band gap energy of 1.34 eV, which corresponding to the band gap energy of the theoretical maximum efficiency of solar cell absorber layer materials.
keywords:Cu(In, Al)Se2,thin film,selenizaiton temperature
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