摘要:从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难，用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二模型、传播矩阵和分层逼近法，分析计算了以GaSb为衬底的InAs/A1Sb,InAs/Al0.6Ga0.4Sb，和以InP为衬底的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As的带阶，及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态，发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的56％－62％，而且受到导带间能谷的限制而进一步减小，设计提出了迄今发射最短波长为2．88μm的由25个周期共2502个耦合量子阱组成、外加电场为100kV／cm的子是量子级联激光器的结构方案。

摘要:利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构，对于第一近邻Ga－N配位，纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近，分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm；当温度从78K增加到300K，GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多，小于0．0005nm，表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强，几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位，R为0．318nm，纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm；在78K和300K时，纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm，这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响，纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大，可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。

摘要:对分子束外延生长的GaNAs外延层进行了拉曼散射研究，观测到了由于导带中的E＋态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Г点声子的拉曼峰，清晰地观测到了随氮含量增大，氮在GaAs中的局域模振动演变为GaNAs中的类GaN晶格声子带模。通过样品在850度快速热退火前后拉曼谱的对比，推测地指认了两个与氮的成对或成团效应有关的振动峰。

摘要:用分子束外延系统生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱（ACDQW），用组合注入的方法，在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元，没有经过快速热退火过程，在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱，发现了带间跃迁能量最大变化范围接近100meV，组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动。

摘要:用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响，用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点，比用GaAs做 其发光峰能量向低有端移动，发光峰半高度变窄，量子点发光峰能量随温度的红移幅度较小，理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表面应力导致发光峰红移，而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂，量子点的均匀性得到改善，PL谱半高宽变窄，用InGaAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1．3μm发光，室温下PL谱半高宽为19．2meV，是目前最好的实验结果。

摘要:用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)的影响

摘要:分别测量了TiBa玻璃微球和TiBa平板玻璃的拉曼光谱，发现TiBa玻璃微球的拉曼光谱上有明显的结构共振，根据微球腔理论对其进行了分析，并利用Mie散射峰位计算公式对测量结果进行拟合，得到微球的直径为25．01μm，在拉曼位移300cm^-1(对632．8nm的激发光）附近的折射率为1．895。

摘要:利用超高真空电子束蒸发技术GaAs(100）上生长Mn/Sb多层膜，并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律，退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性，其易磁化轴在膜面内，样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成，未能观测到纵向（H//平面）克尔效应，经350℃、20min退火的样品显示了最大饱和磁化强度Ms和最小矫顽力Hc，X射线衍射测量表明膜为MnSb单晶并具有均匀的铁磁特性，能观测到显著的要有向和纵向磁光克尔效应，其随磁场变化表现出相应于磁化强度的磁带行为。

摘要:采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法，讨论了磁场中极性晶体膜内电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合磁极化子的有效质量，得出了磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加，最后趋于一个稳定值，随磁场的增加而增加。

摘要:简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性，该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0．5A，相应的阈值电流密度为5KA／cm^2。

摘要:用高温固相反应法合成了掺钐的镉铝硅酸盐玻璃 ,室温下测量了样品的透射光谱、发射光谱、激发光谱和近红外发射光谱 ,研究了玻璃中钐离子的光谱性质 .在 488nm Ar离子激光激发下 ,该玻璃在 12 0 2 .5 nm、12 93.5 nm及95 7.5 nm有强近红外发射

摘要:成功地生长、制备出了双掺（Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体样品，测量了双掺（Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体在红光波段的二波耦合特性及其光诱导吸收变化。实验结果显示，双掺（Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体在红光波段具有好的光折变性能，基红光波段的二波耦合增益可达10cm^-1；且存在着较强的光诱导吸收现象，其光诱导吸收变化明显地依赖于泵浦束光强和探测束光偏振，探测束偏振方向平等晶体c轴时的光诱导吸收系数和探测束偏振方向垂直于晶体c轴时的光诱导吸收系数分别达0．53c^-1和0．26cm^-1，并以实验结果用两光折变中心模型进行了解释。

摘要:基于群链方法提出稀土离子在玻璃基质中的表观晶格场哈密顿的简单模型，利用该模型较为系统地分析了在13K温度下采用常规方法测量的Er^3 离子在猪酸盐玻璃中的吸收和发射谱，确定了从Er^3 离子^4I15/2到^2H9/2所有多重态的Stark分裂值。

摘要:测量了生长在（311）A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱，变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰，将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁，高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动，认为它来源于量子点中Г能谷与价带之间的跃迁，在压力下还观察了一个新的与X相关的发光峰，认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关。

摘要:用磁控溅射法制备了一系列NixSiO2(1-x)样品，并对部分样品作快速退火处理，室温下采用椭圆偏振光谱仪和磁光谱仪分别为1．5－4．5eV的光子能量区了样品的复介常数谱和极向复磁光克尔谱，研究了这种金属－绝缘体型颗粒膜的化学和磁光性质，发现调整适合的金属含量或对样品作退火处理，可以观察到复介电常数的实部从正到负的连续变化，而且在一定光子能量区，其值为零；介电张量的非对角元和光学常数对其磁光克尔角的增强起重要作用。

摘要:分析了普通配置下双波长存储中，不同波长偏离对扇形噪音读出的影响，并从实验上研究了掺铁铌酸锂晶体的最佳读出配置，为能使民存图像完整再现，使用了一个柱面镜来调整读出光的波前，在双掺铌酸锂晶体中实现了整幅图像高信噪比再现，达到了预期效果。

摘要:对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱（μ－PL）测量，光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰值接与势垒中Al含量相关，通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算，获得了Al组分和阱宽值，并由此推算出相应的红外探测响应波长，与光电流谱的结果相比吻合良好，这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选。

摘要:对 PVD沉积 Pb1 - x Gex Te薄膜研究发现 Pb1 - x Gex Te是一种高性能的红外材料 ,在 3～ 2 5μm光谱范围具有较好的透光性能 ,室温下的折射率为 4.8～ 5 .6 .薄膜的光学性质 ,包括透射率、色散关系以及折射率的温度系数dn/ d T,与材料中组分 x、环境温度和薄膜的沉积工艺条件有密切关系 .适当地改变组分和工艺条件 ,可以使薄膜的折射率温度系数 dn/ d T从负变到零并转为正 ,这对于制备高温度稳定性的红外光学薄膜器件具有重要的意义

摘要:研究了一种以水为溶剂的(Ba

摘要:采用线性组合算符方法，研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面极化子的温度效应，对KI晶体的数值计算结果表明：振动频率、有效质量随温度的升高而减少，而诱生势随温度的升高而增大。