摘要:从理论和实验两方面简要评述了ｐ－ＧａＡｓ和Ｓｉ同质结界面功函数内光发射（ＨＩＷＩＰ）远红外（〉４０μｍ）探测器的最新的发展，重点讨论了此探测器的光响应机制和探测器性能。结果表明，ｐ－ＧａＡｓ和Ｓｉ的ＨＩＷＩＰ远红外探测器有希望成为远红外应用中具有强大竞争力的器件。

摘要:通过对激光与ＤＮＡ分子相经作用系统的随机动力学方程数值研究，发现在小信号绝热近似下，适当条件时，出现随经沌。随机混沌的出现与激光强度有关，当激光强度很小时，无混沌现象出现，意味着小激光强度不能激励ＤＮＡ发生变异。并随着激光强度的增大，体系的演化过程的混沌特征就越来越明显。但同时太强的激光强度引起的混沌非常复杂，会使激光与ＤＮＡ作用系统的随机不确定性严重，带来难以控制的后果，可能反而会使ＤＮＡ不产生

摘要:对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进，引入双调制技术，消除了室温背景黑体辐射在４μｍ至５μｍ以上区域对光致发光测量带来的严重干扰，在１０μｍ红外波段得到了组分ｘ＝０．２１窄禁带ＨｇＣｄＴｅ的光致发光光谱，对光谱的主要结构地进行了指认，发现存在于这种材料中的４ｍｅＶ的杂质能级，其来源是材料中的浅杂质。

摘要:利用退火技术，实现了在低温ＧａＡｓ外延层上ＩｎＡｓ量子点的生长。透射电镜（ＴＥＭ）研究表明，低温ＧａＡｓ外延层上生长的ＩｎＡｓ量子点比通常生长的ＩｎＡｓ量子眯明显变小，且密度变大，认为是由于低温ＧａＡｓ中的点缺陷以及Ａｓ沉淀引起的：点缺陷释放了部分弹性能，使得量子点变小，而Ａｓ沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱（ＰＬ）上，退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高，且半高宽变窄。

摘要:报道了用离子注入方法和组合技术制备的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱多波长发光集成芯片，利用量子阱果面混合原理在同一块ＧａＡｓ衬底片上获得了２０多个发光波长从７８７￣７２４ｎｍ的ＧａＡｓ量子阱发光单元，研究了不同剂量的Ａｓ和Ｈ离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响，采用了组事技术和离子注入技术大大筒化了制备工艺过程，这种上发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义

摘要:利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了ＧａＡｓ／ＳｒＴｉＯ３外延单晶薄膜样品，研究了这种新型异结构的晶格振动光学特性。实验结果表明：在钙钛矿型结构的ＳｒＴｉＯ３衬底上外延生长的ＧａＡｓ薄膜具有单晶结构，有与ＧａＡｓ单晶体材料相同的晶格振动特性。

摘要:采用红外椭辰我谱研究了与ＧａＳｂ衬底近晶格匹配的不同组分ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱。根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效率确定了ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品的禁带宽度，并发现在组分ｘ＝０．２￣０．３之间禁带宽度随组分ｘ近似于线性变化。

摘要:利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Ｓｉ和Ｂｅ的ＧａＡｓ同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低，这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。

摘要:根据最小二乘原理和回归模型设计出消除噪声的自适应滤波器，以消除图像的噪声。提出采用基于多项式的红外焦平面非均匀校正方法，讨论分析了实现该方法的算法，最后对图像校正效果进行了分析。

摘要:通过考虑互相关联的光学和工艺参数,设计了3～5μm红外128×128硅衍射微透镜阵列.阵列中微透镜的孔径为50μm,透镜F数为f/2.5,微透镜阵列的中心距为50μm.采用多次光刻和离子束刻蚀技术在硅衬底表面制备衍射微透镜阵列.对实际的工艺过程和制备方法进行了讨论,对制备出的128×128硅衍射微透镜阵列的光学性能和表面浮雕结构进行了测量.

摘要:用溶胶－凝胶技术制备了化学组分为５／５０／５０的ＰＬＺＴ非晶薄膜。测试其２００￣８００ｎｍ波长范围的光学透射谱，和２００￣６７０ｎｍ波长范围的椭偏光谱。得到了ＰＬＺＴ（５／５０／５０）非晶薄膜膜厚和光学常数谱（折射率ｎ谱和消光系数κ谱），并与组分为９／６５／３５的ＰＬＺＴ非晶薄膜的吸收边和折射率进行了比较。

摘要:提出了一种基于信息叠加的迭代学习算法。该算法利用协同神经网络中的原型模式具有信息的 性，将学习中误识率最高 的模式作为反馈量来修正原型模式。利用实际采集得到的样本对新算法进行的测试表明：新算法具有最优搜索能力强，训练时间短的特点。另外，将新算法与基于遗传算法的原型模式选取算法在网络训练性能上进行了比较。

摘要:提出了一种基于肤色区域和多种模板结合的人脸检测方法，该方法能在复杂背景下很好的检测出人脸位置并且不受人脸旋转或侧转的限制本文方法比传统的方法检测速度快、漏检率低，可以在实时系统中应用。

摘要:为了得到一组局产最优的特征组，提出一种结合分散度和顺序前进法（ＳＦＳ）的特征选择方法。实验结果表明小液矩不变量比Ｚｅｒｎｉｋｅ矩不变量有更好的识别效果，尤其对于形体相似的物体，效果更明显。

摘要:介绍了模糊划分的原理，提出用条件概率与条件熵定义模糊划分的熵，并基于最大熵原理设计了一种新的灰度直方图阈值选取算法。比较可见ＫＳＷ熵法是本文方法的一个特例，本文方法是ＫＳＷ熵法在模糊集上的推广，对几例真实目标图像的对比分割实验结果表明本文方法性能优越。

摘要:从目材噪声模型以及最大值递归滤波器处法入法，在两种不同的条件下对基于最大值递归滤波器检测进行了详细的性能分析与仿真，得出一系列结论。

摘要:从密度矩阵运动方程出发，详细地推导了光泵氨分子振动基态远红外激光的增益系数表达式。

摘要:利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术实现了ＣｄＴｅ薄膜的低温生长，利用电化学方法进行了ＨｇＣｄＴｅ表面自身阳极氧化膜的生长，利用生工的ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ表在身阳极氧化膜对ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件进行了表面钝化。对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析，实验表明得到的ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ同质量已达到器件实用化水平。

摘要:汤定元先生是我国著名物理学家,中国科学院院士.今年5月12日是他80周岁生日.半个多世纪以来他将自己的才华和精力无私地奉献给我国的科学事业,作出了杰出的贡献.他是本刊的创始人和第一届至第四届主编,现任名誉顾问.笔者作为汤定元先生的学生,多年来深受教诲,谨此介绍汤先生部分科学生涯,以志祝贺.