摘要:基于量子局域模型，用类似Ｋａｎｅ平均场方法和Ｌｉｆｓｈｉｔｚ几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱．对直径为ｄ的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述，研究表明：光荧光谱的线型在短波边不对称，与实验观测一致；尺寸服从一定的分布导致光荧光峰红移，可用于获得表观激子束缚能；尺寸分布对光荧光峰的宽度起重要作用

摘要:对ｎ型电子有效质量各向异性半导体量子阱，给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式．这种子带间的跃迁有束缚基态到束缚的激发态的，有束缚基态到扩展的激发态的．以ＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ为例研究了量子阱生长方向、阱宽对量子阱吸收波长和振子强度的影响

摘要:理论上计算了电子－声子相互作用对抛物量子线中三次谐波产生的影响机制，用量子力学中的密度矩阵算符理论推导了该系统中三次谐波产生的解析表达式，以典型的ＧａＡｓ量子线为例进行了数值计算

摘要:采用低温荧光激发光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构中热电子的驰豫过程，在ＰＬＥ谱中首次观察到ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱中ＬＯ声子的发射，用四能带Ｋａｎｅ模型计算了由轻、重空穴杂化效应引起的价带结构的畸变及其对声子发射谱的影响，实验和理论计算结果均表明、光激发热电子可以通过发射ＬＯ声子直接弛豫到激子态上，实现热电子的冷却。

摘要:在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移，与实验结果一致．还分析讨论了观测到的宏观界面模

摘要:采用栅压比谱的方法，研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气（２ＤＥＧ）的回旋共振。观察到由于子能带－朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为．由回旋共振频率ωｃ确定了子能带电子的回旋共振有效质量ｍ＊，通过对共振峰线形的拟合，获得二维电子气浓度Ｎｓ、电子散射时间τ和迁移率μ．由子能带－朗道能级的共振耦合测量了不同栅压下的多个子能带间的能量间距．讨论了导带非线抛物性对电子回旋共振有效质量的影响

摘要:讨论应用快扫描傅里叶变换光谱仪研究异质结表面及量子阱中二维电子气的高频动力学性质，利用制备有金属栅极的异质结样品的肖特基场效应特性，通过光谱仪控制栅压门电源交替选择栅压扫描，获得了二维电子气的吸收栅压比谱，由此观察到该低维系统的几类基本红外激发，包括回旋共振、二维等离子激元及电子子能带间的共振跃迁

摘要:研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面固定电荷密度，可以优化器件性能

摘要:深入研究了固体反射光谱红外活性模剩余反射带短波边对介电常数变化的敏感性，并在此基础上研究了强弱振子介电耦合对反射光谱的影响，发现在一定条件下可以在强振子的剩余反射带内形成局部的低反射率频域

摘要:在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力行为与ＧａＡｓ基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构．得到平均厚度为１／３单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为２３和４２ｍｅＶ

摘要:测量了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ、ＺｎＳｅ等的远红外反射光谱，拟合得到样品的载流子浓度、迁移率、电阻率等参数

摘要:报道了Ｃ６０掺杂气凝胶的奇异光致发光现象．利用两种掺杂方法制备了Ｃ６０掺杂ＳｉＯ２气凝胶样品，红外吸收光谱及飞行时间质谱测试表明Ｃ６０分子被成功地掺入ＳｉＯ２气凝胶中．在室温条件下，以Ａｒ＋激光（４８８ｎｍ，１０ｍＷ）激发，观测到Ｃ６０掺杂气凝胶的强可见发光，发光峰位置较纯Ｃ６０明显蓝移，但不同方法制备的样品的蓝移量不同

摘要:利用离轴照明选择性激发高Ｑ值Ｎｄ＾３：ＹＡＧ小球，测量到与体材料不同的激光振荡，例如１．３６５μｍ的激光谱线。

摘要:研制了ＬＡＴＧＳ－ＰＶＤＦ热释电复合薄膜，测试分析了膜的介电和热释电性能．制膜过程中加极化电场使复合膜中ＬＡＴＧＳ晶粒的内偏场沿极化场取向，达到既具有好的热释电性又不退极化的目的．用这种复合膜研制的热释电探测器的探测率Ｄ＊（５００Ｋ，１０Ｈｚ）高达１．１２×１０８ｃｍ·Ｈｚ１／２·Ｗ－１．

摘要:研究了在稳定磁场作用下极性晶体中表面电子与表面光学声子耦合弱的表面极化子性质，采用微扰法和线性组合算符法导出表面磁极化子的基态能量，讨论了反冲效应中不同波矢声子间相互作用对表面磁极化子基态能量的影响