摘要:以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ中ＤＸ中心的俘获势垒

摘要:对在ＧａＡｓ、Ａｌ２Ｏ３和Ｓｉ等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到α相ＧａＮｌ模，Ａｌ模Ｅｌ模和Ｅ２模，结合射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相，完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段。

摘要:报道了用光致发光光谱，吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽，不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果，结果理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量，应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品应变值和导带不连续因子Ｑｃ，并讨论了这种结构发光机制。

摘要:描述了氢化非晶硅／铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求，对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜ｐ－ｉ－ｎ光敏层的制作和光电特性进行了研究。

摘要:应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为。发现随着退炎温度升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整当ＴＡ高于４４０℃，晶格质量陡峭地下降，ＴＡ越高，越多的Ａｓ占据Ｔｅ位作为Ｔｅ位受主，样品表现为更小的补系数和更高的空穴浓度。

摘要:利用深能级瞬态谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅｐ＾＋ｎ结中Ｈ２空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复俣机制，该能俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｂｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式，推测了多亏的子无辐射复合决定性作用。

摘要:在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达到９８．１％。

摘要:当用强脉冲ＣＯ２－９Ｒ谱线泵浦ＮＨ３分子时，两个喇曼过程ｓ→ａＰ（７，０）和ｓ→ａＰ（７，１）相互作用导致彼此增强；而当ＣＯ２－９Ｒ（３０）谱线泵浦时，出现多个喇曼过程的竞争，一些过程得到增强，另一些过程被削弱。

摘要:结合精确Ｍｉｅ散射理论及光学常数色散Ｋ－Ｋ关系，利用具有某一粒径分布的稀相，非均匀微粒弥散系的透射比光谱，反演微粒的光学常数。研究了反问题方法的多值性，并讨论了该方法的适用范围，分析了粒径分布函数偏差，非均匀弥散系的均匀似及透射比误差及对反演结果的范围。

摘要:用Ｄｉｒａｃ符号表示１６态四元数离散神经网络模型，用计算机模拟讨论了该模型的存贮容量和容错能力，与Ｈｏｐｆｉｅｌｄ模型对比，并进行了计算机１６值灰度或彩色图像识别模拟。

摘要:提出一种用３ｆ多路光学相关器实时识别指纹的新方法，其特点是能把光学傅里叶变换获取的频谱特征数据同光学子波变换结果相结合进行目标识别，计算机模拟结果一实验结果表明，该方法对于快速处理／识别指纹一类为复杂的图像目标是有效的。

摘要:以红外光纤和ＨｇＣｄＴｅ探测器组合构成带尾纤的新型组合件，组合件给光学系统的设计和结构以更多的随意性，并能有效地减小杂散光的干扰，改善系统的信噪比。

摘要:简要评述硅基光波导的结构，工艺及其器件，包括低损耗的硅基光波导，电光波导器件，红外波导探测器，氧化硅光回路等。

摘要:系统地阐述了几种二元光学分束器的基本设计理论，比较其算法以及衍射效率和再现误差，并提供了设计实例。

摘要:介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法，并与通常的光电导衰退法进行了比较。