摘要:分别研究了无机和有机两类光子选通光谱烧孔材料，即稀土离子Ｓｍ＾２＋掺杂的氟卤化物无机混晶材料有机的给体－受体电子转移型材料，探讨了材料的设计和制备，并对材料的性能（如存储密度、工作温度、写入速度、信息保存时间等）进行了分析。

摘要:从理论和实验上给出一种新的确定光场自相关和互相关函数方法，其相关测量可以达到亚ｐｓ量级的超高时间分辨率，动力学范围超过５个数量级，利用这种方法在光谱烧孔材料中实现了全息方式写入和场相关方法读出。

摘要:利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子陆微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征。

摘要:用光荧光（ＰＬ）和时间分辨光谱（ＴＲＰＬ）技术研究了ＧａＡＳ／ＡＩＧａＡＳ量子阱结构中荧光上升时间τｆ和激子谱线半宽（ＦＷＨＭ）随阱宽的变化关系，发现在窄阱中，τｆ，随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反，在窄阱中τｆ随着阱宽的减小而增加，归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的．同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加，这也是因为激子特性由维二维向三维转化造成的．

摘要:用光电导测定厚度为４￣３０μｍ的未掺杂ＧａＡｓ ＭＣＶＤ外延层中自由激子跃迁特性，发现当外延层厚度增加时，结合能Ｒｘ增大，ｎ＝１自由激子峰位略向低能区漂移，而激子的高激子态强度的寿命τ都减小，这些效应主要归因子外延层表面的缺陷和电场的作用，最后，讨论了光致发光和测量温度对它的影响。

摘要:用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的１．１３ｅＶ发光带的发光特性，表明此发光带为施主－受主对复合发光．根据１．１３ｅＶ发光带的峰值能量和发光强度随温度和激发强度的变化关系，确定施主和受主的束缚能分别为５和２９５ｍｅＶ，并证实ＧａＡｓ／Ｓｉ外延层中的１．１３ｅＶ发光为硅施主－镓空位受主对的复合发光．

摘要:获得高分辨ＧａＰ（Ｎ）光致发光光谱，观察到等电子陷陆束缚激子发光中ＬＯ和ｌｏｃ多声子发射，其强度分布答合泊松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁，并进行了相应讨论，还观察到局域声子效应－－光谱相似定律和相当显著的背景光谱。

摘要:根据有效介质理论，研究了材料的孔隙度对其反射光谱的影响，发现随着孔隙度增加，多孔材料的红外反射光谱呈现下塌趋势，通过比较ＳｉＯ２玻璃与多孔ＳｉＯ２玻璃的红外反射光谱检验了这一规律。

摘要:

摘要:通过改变紫外线辐照能量，研究了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋的光激励发光性质，发现当紫外线能量大于或小于Ｅｕ＾２＋最低激发态能量两种情况下，光激励发光有明显的差异，还分析了产生差异的原因，并且给出了紫外线辐照能量与Ｆ／Ｃｌ比值的关系。

摘要:基于有效质量理论，从导带子带间光跃迁矩阵元的表达式出发，推出ｎ型半导体量子陆红外探测器的正入射吸收条件，用一些简单的数学手段，把正入射的吸收系数表达为量子阱生长方向的解析函数，进而讨论正入射吸收的优化、极限及与平行吸收的比较。

摘要:

摘要:合成一种新的推拉型偶氮化合物并将掺入ＰＭＭＡ中制成光学薄膜器件，用Ｚ扫描技术测量了该材料的非线性折射率，用ＤＦＷＭ装置研究了该材料在可见光长波区光存储特性，获得了良好的实时和短时存储信息，存储功率密度小于０．１Ｗ／ｃｍ＾２。分析了这种非共振吸收区光存储机理。

摘要:利用７７Ｋ红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品的光致发光影响。实验表明：电化学过程除在Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外，还使Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品中的１．５４μｍ光致发光效率明显提高，且Ｅｒ＾３＋发光峰增宽，次峰更丰富。