摘要:

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摘要:发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱带边激子发光的主要因素，研究了在低阻衬底上外延，在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光。

摘要:介绍了图像目标识别技术中的图像分割，不变性参数提取和目标分类，利用图像目标的均匀性和相应知识自适应地分割和提取图像目标，被提取的每个图像目标的不变性参数由归一化过程和Ｚｅｒｎｉｋｅ矩提取，并利用ＭＰＮＮ模型将图像目标分类，实验结果该识别系统能识别光照不均匀或复杂背景下的图像目标。

摘要:在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好．

摘要:选用１英雨阴极射线管和液晶光阀研制成直径１英寸的ＣＲＴ－ＬＣＬＶ组合器件，介绍了组合器件的工作原理、制作工艺和性能指标，并给出了在小型光学相关器上的应用实例。

摘要:采用３个特征频率的声子模型，较好地拟合了ＣｄＴｅ的０￣３０Ｋ反常线膨胀系数ａ和０￣３００Ｋ能隙Ｅｋ的温度关系实验曲线，结果表明ＴＡ声子是导致ＣｄＴｅ低温线膨胀系数反常的原因，能隙随温度的漂移主要受电子－ＴＡ声子相互作用的影响。

摘要:提出一种铸影的非相干光学系统，由可编程的发光二极管阵列实时产生二值中值滤波函数。用电的方法完成取阈和求和运算来实现中值滤波。同时利用非线性阈值分解技术实现灰值中值滤波，该系统结构简单紧凑，取阈方便。

摘要:

摘要:报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法，结果Ｈｇ气压，过冷度，降温速率及退火条件等因素对液相外延薄膜的性能有很大影响，由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布。

摘要:在Ｃ６０花生酸复合ＬＢ膜中实现了立体简并四波混频和多重前向光学相位共轭输出，观察到了共轭光输出的累积效应，采用相对测量法测得Ｃ６０ＬＢ膜的Ｘ（３）为（１．８±０．４）×１０－８ｅｓｕ，分析了前向共轭光强与信号光、泵浦光强的关系，最后讨论了非线性效应产生的原因．

摘要:介绍作者研究了一种用于图像理解的知识基系统Ｖ语言的特点、性能及其应用情况。

摘要:利用时间光辨光谱技术，在１１￣９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。