摘要:用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）起晶格中的电子辐照缺陷，证明其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。

摘要:势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好，由此得到朗道能级模型态密度。根据拟合自洽地给出了二维浓度、费密能级、子带能量和有效Ｌａｎｄｅ因子随场振荡变化的规律。

摘要:用３个特征频率的爱因斯坦模型，以Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数γｉ和约化的电子－声子耦合强度（ｇ＾２Ｆ）Ｗｉ为参数，较好地拟事子Ｇｅ和ＧａＡｓ的线膨胀系数与能隙的温度关系的实验曲线，结果表明ＴＡ的声子的负的Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数是引起低温区Ｇｅ和ＧａＡｓ的线膨胀系数反常的原因，同时，Ｇｅ和ＧａＡｓ的价带项状态的（ｇ＾２Ｆ）ｗｉ为正值，而导带底状态的相应量为负值。

摘要:从理论和实验上研究了半绝缘掺铬砷化镓（ＧａＡｓ：Ｃｒ）晶体在１．０６μｍ波长处的两种简并三波混合的增益特性。利用位移光栅及外加电场等技术，实现了双信号独立的纯放大，利用双泵浦提高了单一信号的放大倍数。

摘要:报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ和ＧｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行比较，结果进一步支持了本文的结论。还测

摘要:从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴＥ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算。结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量。计算结果还表明，外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响。运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析，发现ＭＯＣＶＤ工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制，并发现负禁带ＨｇＴｅ薄膜

摘要:制备了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２４）ＭＩＳ器件，用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ－Ｖ谱。根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱，获得了反型层电子子能带结构、，与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。并获得了有关界面态与绝缘层固定电荷的结果。

摘要:用半经典理论分析了含有多普勒加宽的斯塔克效应光学双稳性，分析了多普勒加宽及其饱和效在对该斯塔克效应光学双隐性的影响。

摘要:提出了一种相似度的新定义，使双极ＷＡＴ模型的实现更加简洁明了。增加一个阈值使系统能判别非存储模式或因其信息量过低而无法鉴定的输入模式，阈值的大小与要求的容错能力有关。双极相似度及阈值通过光学方法实现。阈值的光学实现使系统仍具有照明不变性。通过电路实现取及ＷＴＡ网络的迭代运算。

摘要:根据Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络的优化功能设计二元串码滤波器，对于识别同样数目的物体，本方法所需要的滤波器数目较少，且容错能力较强，对适当的编码方法识别准确率可达１００％。

摘要:根据光折变微观机制和Ｋｕｋｈｔａｒｅｖ带导模型，分析了ＬｉＮｂＯ３晶体二波耦合系数与载流子深度的关系。结果表明二波耦合系数随流子浓度的升高而增大，并逐渐趋于一稳定值。测量了不同Ｃｅ掺杂浓度Ｃｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体二波耦合指数增益与载流子浓度的关系，实验结果与理论分析一致。

摘要:报道了ＫＮｂＯ３：Ｆｅ在５１４．５和６３２．８ｎｍ二波耦合增益系数随温度（２９０－３７０Ｋ）变化的实验结果，分析研究了温度对暗电导、电光系数和扩散场的影响，通过对电光系数ｒ５１为主的实验和理论曲线和拟合，得到了室温（３００Ｋ）暗电导和光电导之比Ｂ＝σｄ／σｐ及其它参数值。

摘要:改进了Ｙ．Ｙａｍａｍｏｔｏ提出的多层平面介质波导理论方法，并将改进后的方法应用于金属包层型平面介质波导偏振器和在线单模光纤偏振器，进行了理论和实验研究。