摘要:由中国科学院上海技术物理研究所研究生部和红外物理国家实验室联合主办的“凝聚态光谱与光电子学国际青年学术讨论会”于1991年10月14日至17日在上海技术物理研究所召开,会议得到中国科学院教育局和第三世界科学院国际理论物理中心的资助. 著名物理学家、学部委员谢希德教授亲临会场致祝辞,中国科学院红外物理国家实验

摘要:由中国科学院表面物理国家实验室和航空航天部上海803研究所共同承担的航空航天部的预研项目——GaAs/高灵敏度AlGaAs多量子阱红外探测器,已在我国首次研制成功,于1992年1月29日通过院级成果鉴定. 基于子带跃迁的量子阱红外探测器是自1986年发展起来的一种新型高技术电子器件,属国际前沿研究课题.鉴于它在军事和民用中的重要性,近几年来,许多国家都已投

摘要:为方便广大自然科学工作者订购、查询、投稿以及学术交流的需要,《全国自然科学期刊便览》将向您展示全国1400多家自然科学期刊、杂志的名称、主办单位、通讯地址、邮政编码、统一刊号、电话、主编、副主编姓名、主要栏目以及订购事宜等.全书420页(压膜封面),单价5.20元(邮资另加0.80元).《便览》一书的特点是:体积小、

摘要:在高强度光激发的Ge、GaAs和ZnSe中观察到电子-空穴等离子体.采用远红外磁光吸收和光致发光两种手段研究了等离子体的空间膨胀.将Ge的远红外磁光吸收谱中的一个低磁场峰指认为快速扩展的电子-空穴-等离子体中的空穴在价带间的跃迁,用磁场限制扩散模式解释了时间和空间分辨测量结果.半绝缘GaAs中电子-空穴-等离子体的膨胀与扩散常数有关,而扩散常数取决于激发强度,这就提示了膨胀是由于“声子风”(phonon wind)而引起的.在用MOVPE方法生长的ZnSe外延层中也观察到均匀的等离子体.用非-k选择定则能很好地拟合光致发光谱线型,多体效应引起的带隙收缩与在其它Ⅱ-Ⅵ族化合物中观察到的类似,并首次观察到ZnSe外延层中的电子回旋共振.

摘要:根据一维分子链中的电荷密度波(CDW)和价键序量波(BOW)统一地研究了MX络合物和高分子中的三阶光学非线性.揭示了Pt-Cl络合物和聚乙炔的三次谐波产生频谱共振峰结构的物理来源:Pt-Cl络合物的1.8eV峰和聚乙炔的0.9eV峰都是由能带间的双光子共振产生的.本理论能定量地阐明这两种材料的已观察到的三阶光学非线性的实验数据,还能预测Pt-Cl络合物的三次谐波在0.9eV处存在另一个由三光子共振引起的峰.

摘要:通过分子束外延生长不同组分的Ge_xSi_(1-x)标样,测量其俄歇谱(dN/dE～E),得到了在指定的实验条件下Ge(LMM)和Si(KLL)幅度之比与Ge组分x的关系,与只用纯Ge和纯Si原子灵敏度因子之比计算结果差别很小.证明俄歇电子谱是组分x原位测量的有效手段,相对误差在10%以内.讨论了Ge的偏析现象,在x>0的情况下Ge偏析不致于影响上述测量方法的准确性.

摘要:在温度为0.3～4.2K,磁场强度为0～7T的范围内对两个不同组份的Hg_(1-x)Mn_xTe(N_A>N_D)样品进行了输运特性的研究.组份x=0.03的样品在弱磁场(B<0.6T)下出现磁阻振荡,用修正的Pidgeon-Brown模型拟合各振荡峰值位置,得到共振受主能级随温度降低而升高,表明受主共振态已形成束缚磁极化子(RABMP).组份x=0.065的样品出现阶段性下降负磁阻行为,理论分析表明这是受主能级钉扎费密能级并在强场(B～1.5T)通过a_v(-1)价带顶引起价带空穴散射增强.两个样品都呈现负磁阻行为,但从磁阻的各向异性及能带分析表明其机理有所不同.

摘要:根据测得的表面电阻R_S(T),通过在BCS理论框架中引入一个修正电导率,计算出YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导材料的磁穿透深度和简约能隙与温度的相关性.引入修正电导率主要是根据YBCO超导体中电子结构表示Cu-O链对微波表面电阻的贡献.计算得到的磁穿透深度和相对能隙与实验结果符合得相当好.

摘要:提出了一个理论模型并用它圆满地解释了具有准二维层状结构高T_c氧化物超导体的表面阻抗Z_s(T,ω)对频率和温度的依赖性.运用Allender模型考虑了Cu-O链的作用,得到了YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的电导率的修正公式为(?)=In(Δ/hω)[C_1exp(-Δ/K_BT)+(1-C_1)K_BT/Δ],根据该模型和YBCO不同频率下表面电阻R_s(T)的实验数据计算了材料的磁穿透深度λ(T),理论计算结果和普通超导体的结果符合很好.

摘要:制成组分为0≤x≤0.1的超导材料Y_(1-x)B_xBa_2Cu_3O_y.测量了从液氮温度到室温的该材料的电阻、磁化率和比热,并在室温下用X射线粉末衍射法分析了样品.结果表明掺硼减少了超导相的构成,引起部分非超导相.在硼浓度低时,没有迹象表明硼阳离子进入铜-氧面或铜-氧链.

摘要:采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.

摘要:报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些用超晶格作缓冲层的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,观察到超晶格对生长面的平滑作用及间断生长造成的界面等.

摘要:讨论了一种一维准周期系统的输运性质.该系统由一系列Fibonacci耦合的量子点组成.利用转移矩阵方法并考虑实验技术,推导了通过一系列量子点的电子透射几率,从而讨论了电导与磁场和电压的关系.通过数字计算获得了具有非常丰富结构的透射谱,这种结构的丰富性依赖于量子点间的耦合.

摘要:研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InGaAsP/InP单异质结,扩散结深还与InGaAsP覆盖层的厚度x_0有关.推导出其结深与扩散时间的函数关系为x_j/t~(1/2)=-x_0/(rt~(1/2))+I.

摘要:建立了一套光泵浦探针法测量CdS晶体光学非线性快过程的实验,同时测定外加电场对激子-电子相互作用时间的影响,以揭示光学非线性的特性和起源.通过计算机数值计算模拟得出:在没有外加电场作用下,激子-电子相互作用的衰减时间为60ps.由实验结果可以看出外加电场使衰减时间略有延长.

摘要:用氢氟酸电解腐蚀工艺研制成功一种多孔硅材料,它的光致发光谱可短至蓝绿色,用该材料制成的肖特基二极管的电致发光为黄色.