摘要:中国光学学会在1991年组织了全国优秀光学期刊的评审,经过专家的严格审查和中国光学学会批准,本刊荣获1991年度全国光学

摘要:评论了Ⅱ-Ⅵ族半导体HgCdTe的化学束-气源外延生长系统的设计和研制,介绍了生长HgCdTe外延层和气体源掺碘CdTe外延层的最新结果,这些结果表明了用这种技术生长用于制备先进红外探测器的优质材料的可能性.

摘要:制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制进行了详细的理论分析.在考虑了窄禁带HgCdTe的特殊性质后,计算了表面沟道电流决定的P-N结正、反向I-V特性和R_0A的温度特性,以及它们与表面状态的关系.理论与实验定性相符.

摘要:在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.

摘要:用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的跃迁.认为1.447eV和1.32eV荧光带系分别对应于与Ga_(As)的两个电子态(38meV和203meV)有关的辐射复合.

摘要:运用X射线衍射运动学理论研究了[(Ga_(1-x)Al_xAs)_m(GaAs)_n ]_N/GaAs(001)-维超晶格的结构,通过模拟计算,精确确定了超晶格的结构参数.本方法可用于各种超晶格结构,具有普遍意义.另外,还对超晶格卫星峰强度的非称性和超晶格中叠层界面处存在过渡层的影响进行了讨论.

摘要:利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz~(1/2)·W~(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W~(-1).

摘要:研究了光泵亚毫米波激光器的双稳和自脉动等动力学行为.结果表明泵浦光能产生双稳效应,导致输出光的一部分定态不存在,脉动输出较易产生,脉动频率随着泵浦光强的增大而增大.

摘要:从经典的折射方程出发,建立了双光楔两自由度波束精确导向的物理模型,分析了光楔转动位置对激光波束指向的影响,建立了双光楔波束导向的数学方程,推导了双光楔波束控制方程,并对双光楔导向速度作较详细的分析.

摘要:提出了差值“基础比特+溢出比特”编码方法.与霍夫曼方法相比,具有无需知道信源的统计特性,算法简便,易于实时处理,编码效率高(可达90%以上)等特点,并在成象光谱仪机上实时数据压缩中取得了良好的应用效果

摘要:采用电子控制方法实现对星载红外分光计扫描镜步进过渡过程的控制.解决了扫描测量过程中光学通道在其测量周期内视场的变化,保证了各测量通道的空间同一性.

摘要:本文提出一种适于光学实现的三层神经网络模型,该模型具有对多目标转动不变的模式识别能力.该模型被用于对四种飞行器的平面内旋转识别.计算机仿真表明,该模型对样本模式、非样本模式以及有局部遮挡时,皆有良好的联想识别能力.

摘要:介绍一种高阻红外探测器信号读出新方法——积分开关读出法;其噪声等效功率比通常的阻抗变换放大器(TIA)降低一半以上,并免除了与TIA高阻值反馈电阻有关的一系列问题.

摘要:利用半导体激光器作为采样光源的超高速电光采样测试系统(时间分辨率最高可达16.7ps,电压灵敏度为0.26mVHz~(-1/2)).测量了1～5GHz的微波信号和同轴电缆传输线的色散展宽.

摘要:用Bi_2O_3作为助熔剂,在坩埚可加速旋转的单晶炉内成功地生长出GdBiIG单晶体.将单晶体沿(111)面切割、磨抛成薄片状样品,以磁光调制倍频法测得近红外波段(0.9～1.7μm)磁光旋转谱;并同其它几种稀土铁柘榴石材料相比,发现GdBiIG的磁光优值大,是制作非互易光学器件较为理想的法拉弟旋转介质.