摘要:中国科学院上海技术物理研究所将于1991年10月在上海召开由青年牧师学家和研究生参加的“凝聚态光和光电子学国际学术讨论会”。会议主要讨论固体和半导体中的一些前沿课题。本次会议将邀请国际上该领域具有一流水平的十名外国科学家和十名国内一流的科学家作特邀报告和进行学术交流。本次会议的参加者要求是35岁以下的青年物理学家和研究生。

摘要:本文研究了77K时SrFCl:Sm~(2+)在光谱烧孔过程中Sm~(2+)和Sm~(3+)的再分布,得出烧孔的最大总面积受材料中Sm~(3+)数量的限制,孔的最大总面积与Sm~(2+)非均匀线型内积分面积比等于材料中Sm~(3+)与Sm~(2+)含量比。

摘要:利用简并四波混频技术观测到LiF晶体中F_3~+色心的非线性光学相位共轭效应,以脉冲染料激光为泵浦光得到最大相位共轭反射率约为0.1%,根据LiF晶体F_3~+色心的能级特点从理论上阐明了F_3~+色心系统非线性饱和吸收和四波混频的物理起源。

摘要:报道了光折变LiNbO_3:Fe晶体中双光束耦合和四波混频的脉动现象。认为这种脉动现象起因于LiNbO_3:Fe晶体中的陷阱重复荷电波在光折变材料中感应出的运动折射率光栅。

摘要:在连续激光激发下测量了聚对苯撑(PPP)的光致发光光谱及X射线衍射强度分布。结果表明:非本征发光具有发光峰在619.0nm和728.1nm的宽发光谱带;本征发光光谱呈现锐发光峰,位于436.0nm和466.0nm;PPP微晶区域线度较小,发光主要来自非晶区;并用极化子和束缚极化子讨论了非本征发光光谱特性。

摘要:研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。

摘要:用改进的Bridgman方法首次生长了Cd_(1-x)Sm_xTe(x=0.0005,0.005,0.01,0.05)晶体。用光荧光方法测量了样品在液氮下的光致发光谱,并用提拉法在温度1.5K下、磁场强度直到7T范围测量了磁化强度。实验表明随着标称组份的增加,发光峰向短波方向移动,与晶格常数变小趋势相对应·讨论与分析稀土元素离子与过渡族元素离子的磁性差别。

摘要:报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm~(-1)峰的退火曲线支持了Corbett和Stein提出的多重氧-缺陷复合体的模型。中子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时出现宽化现象是由于存在与830cm~(-1)峰组态相似的842、834和827cm~(-1)等卫星峰所致,并提出了对应于这些卫星峰的可能的缺陷模型。

摘要:

摘要:

摘要:用光调制吸收光谱方法在不同压力条件下研究了In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs应变多量子阱的子能带跃迁,发现子能带跃迁能量随压力的变化行为与构成量子阱的组成体材料带间跃迁能量的变化相似,并且子能带跃迁能量压力系数与量子阱的宽度有关。还讨论了压力可能引起的导带不连续率的变化和In_(0.15) Ga_(0.85)As应变层的临界厚度。

摘要:介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。

摘要:用红外反射光谱和X射线衍射方法研究了聚苯硫醚(PPS)在不同热处理条件下的结构和结晶度的变化,发现814cm~(-1)和804cm~(-1)峰分别对应PPS中晶态部分和非晶态部分的C-H面外弯曲振动,1067cm~(-1)～1088cm~(-1)双峰为构象敏感谱带,1067cm~(-1)峰对应无定形态链构象,而1088cm~(-1)峰对应PPS原粉的规整链构象。X射线衍射的结果进一步证实了这些结论。

摘要:研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。

摘要:采用阴极射线激发和紫外激发研究了ZnWO_4和各种不同掺杂ZnWO_4晶体常温下的激发谱和发射谱,并用单光子计数法测量其衰减时间。得到的激发谱存在4个峰值,计算机解谱得到发射谱主要包含3个发射带。这表明纯ZnWO_4和各种掺杂ZnWO_4晶体有类似的激发谱和发射谱,掺杂只改变峰值位置及各峰的相对强度,还可能增加衰减时间中的快成分。