摘要:讨论了在TIROS-N和NOAA卫星上的HIRS-2仪器中设置一个按指令打开或关闭并且涂黑的门,在仪器性能严重退化的情况下把内部黑体辐射功率ω_(32)和ω_(33)测值恢复到原先精度的可能性。

摘要:分析了可能导致Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结反向软击穿的若干漏电机制。位于结区中的深能级和沉淀及混晶材料中的组份涨落和杂质浓度涨落等都可能产生过量隧道电流。用一些理论模型对实验数据进行了拟合和比较。对于我们的离子注入N~+-P结,P型材料的高补偿度可能是导致漏电的主要原因。

摘要:根据光弹性原理,利用红外光弹性测量系统,采用Senarmont补偿法,对离子注入工艺应力进行了测量。对离子注入工艺应力、退火后应力、应力的分布、应力随剂量和表面浓度的变化进行了研究。

摘要:实验研究了多(双)纵模和单纵模光泵NH_3分子系统的远红外激光输出特性,与理论计算作了比较,结果表明:在相同泵浦总功率条件下,适当控制激光器的工作参数,两者可产生相同的远红外谱线,能保持相同的波谱质量,并有大致相同的输出功率密度。

摘要:介绍了微粒红外光学吸收的光声光谱法的初步研究结果。明显观察到由于微粒周围介质变化导致的微粒表面模的吸收移动,及由于微粒间的聚集和亲和倾向的增加、微粒间的四极和高阶极矩增强所导致的表面模吸收展宽,并对实验结果进行了分析和讨论。

摘要:提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。

摘要:运用广义的误差传递理论,推导了漫射圆筒型腔体有效发射率不确定度的计算公式;提供了一种能够精确确定腔体发射率误差的有效方法。

摘要:由晶体的状态方程和板壳应力理论讨论了单轴铁电晶体薄片在温度沿厚度方向非均匀变化时,处于简支边界条件下的第三热释电效应;推导了温度梯度垂直于极化轴情况下LiTaO_3和Sr_(0.5)Ba_(0.5)Nb_2O_6铁电晶片第三热释电系数的表达式;对它们的分布进行了计算和讨论,结果表明:在温度梯度较大时,第三热释电效应的贡献是不可忽略的。

摘要:使用A.L.Aden和M.Kerker理论计算了C/H_2O复合微粒子在1.0～10.0μm红外波段的吸收、散射、消光截面及发射率光谱,给出了吸收、消光截面与碳粒子半径和水层厚度关系曲线,研究了发射率与碳粒子半径和水层厚度的关系。

摘要:主题索引柯达玛(Hadamard)变换 —光谱术,对称变换的应用(325).半导体 —激光器(1 .3仲m),直接调制产生2 .IGHz 超短光脉冲(389); —一P型闪锌矿,带内光吸收的计算(396).薄膜 —P型Cu工ns电,瞬时光电导(227).背景辐射 —对NseHgCdTe少子迁移率值测量的影响 (钓.表面 —清洁及单层吸附Mo(001),声子色散研究 (3匀; —积累层对N‘HgCdTe输运特性和复合特 性的影响(33钓.玻璃 —BIClrKC卜人匆Sa系,形成、性质和结构 (249).测量 —薄膜材料。、二、d,简易方法及在低温下应 甲(21); —红外探测器频谱特性,自动装置(5了); —znl一‘C吸S…