摘要:实验研究CO_2激光预处理基板对光学薄膜损伤阈值的影响,发现对单层膜及增透膜,辐照预处理使阈值显著提高,最高达未辐照处理的5倍;而对高反膜,辐照预处理无大的影响。用重复频率脉冲光热偏转技术实时研究了光吸收与损伤的对应关系,用时间分辨脉冲光偏转技术确定了初始损伤在样品深度方向上发生的位置,用连续调制光偏转技术,结合Nomarski光学显微镜分析了损伤形貌,得出了一些有意义的结论。

摘要:通过测量经紫外辐照的样品的磁输运特性和复合特性,研究N~+表面累积层对钝化N-Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te的影响。紫外辐射使N~+表面层减少,从而使样品的电阻增大,这一现象与钝化氧化层俘获电子有关。观察到紫外辐照可使样品的载流子寿命减小约90%。假设紫外辐射降低了由N~+表面层引起的内建电势,可解释较快的电子-空穴复合速率。被激发成准平带或弱耗尽状态的晶体的电子-空穴复合时间常数较小。N-Hg_(1-x)Cd_xTe表面层状态确定了光电导器件的最终设计。

摘要:采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n~0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n~0-hv的理论计算和实验曲线符合得很好,并得出有关EL2能级的物理量即束缚能E_T、Frank-Condon移动d_(FC)和波函数扩展长度α~(-1)。

摘要:系统地分析和研究了N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数的各种表现,从中归纳出三种霍耳参数反常的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料及其霍耳参数随温度和磁场变化的特征。通过实验和理论分析找出这三类材料电参数反常的起因,给出了正确判断材料性能及获取真实反映材料电学特性参数的方法。

摘要:利用杂质分凝效应制备弱P型掺Sb-HgCdTe晶体,测量了样品的电学特性、红外光谱及以掺杂样品作衬底制成的PN结的伏安特性,并与未掺杂P型HgCdTe进行了比较,结果表明用掺Sb-HgCdTe晶体可制作性能良好的光伏探测器。

摘要:本文对文献[1]中的公式作了改进,使之更接近于TIROS-N和NOAA卫星上的HIRS仪器的实际情况。在光学元件和输出电压存在测量误差的条件下进行了系统的模拟计算。结果表明,不论对290K暖黑体还是对265K冷黑体,也不论黑体是否受沾污或者受损伤,当仪器的输出电压下降到初始值的80%以内时,黑体辐射功率测值的恢复误差可以小于0.9%,大多数小于0.4%。

摘要:针对木材干燥的红外工程应用,提出了红外辐射脱水的物理模型,测量了木板的多点温度、湿度和干燥速率,总结了升温阶段的干燥规律。认为升温速率对木材红外干燥有重要的影响,并从理论进行了分析。

摘要:考虑非均匀涂层自身辐射,以及对衬底辐射的透射和对外来辐射的反射,建立了热辐射传输方程;给出了涂层表观发射比和反射比的公式;并讨论了影响涂层辐射性能的诸因素。

摘要:报道了直接调制InGaAsP半导体激光器获得重复率为2.1GHz、脉宽为25～60ps的超短光脉冲。

摘要:本文提出一种获得激光增益的新方法,它不要求在工作物质内建立能级粒子数反转,文中给出了工作条件和增益系数。

摘要:采用Kane模型的重空穴带波函数,导出重空穴带带内跃迁的光吸收理论公式,其结果近似为采用球对称波函数计算结果的一半。

摘要:在以SiO_2和Al_2O_3为主要成分的原料中掺过渡金属氧化物,通过高温热处理制备成全发射率达0.93的红外辐射涂料。用X射线衍射及扫描电子显微镜研究了涂层的辐射机理。

摘要:采用自行研制的小型医用毫米波辐射装置对纯种小鼠进行了动物试验,观察到毫米波辐射对小鼠S-180肉瘤具有明显的抑制作用。