摘要:将三种元素一次合成,然后用布氏法长晶工艺生长CdZnFe单晶.得到x=0～0.15的若干晶体,全单晶直径为15～17mm,长度大于40mm,晶体结构致密,单个晶粒的自然介理面尺寸为13×20mm~2,光滑如镜,晶体外观无气泡。用“321”晶界腐蚀剂显示没有发现明显的孪晶线。扫描电镜观察未发现Te的沉积相及金属夹杂相。用X射线粉末法测量了

摘要:为了防止象管光电阴极因受强光照射而灼伤,阴极面接收的光通量有一阈值。本文首先采用公式E=4φ/πD~2对光电阴极在各种不同状态下的照度值进行了计算。接着介绍了视场试验装置上的实验,证明了即使是同一型号的象管,其阈值照度也不相同。提出了当象管处

摘要:本文报道两种透光范围从紫外一直到中红外7～8μm的氟化物玻璃。这些玻璃可采用两种不同方法制备:1)无水氟化物直接熔化法将用无水氟化物配制的配合料用铂坩埚在惰性气氛或保护气氛中直接加热熔化,然后将熔体冷却,浇注成玻璃。2)氟化氢铵氟化法利用氧化物作原料,在300～400℃先用过量的氟化氢铵将氧化物氟化,然后再升高温度将氟化

摘要:在红外多晶锗透镜调制传递函数的测量中,曾发现用干涉仪按光瞳函数自相关方法获得的测量结果有较大偏差。这可能是由于多晶锗的晶粒间界使波阵面在局部区域的变化不能被干涉仪所检测,从而导致测量的系统误差。本文根据Strehl中心点辐照度S.D与调制传递函数MTF的关系,对多晶锗晶粒间界可能引起的S.D的变化进行了模拟计算,研

摘要:扫描棱镜是热象仪中的重要部件之一。根据热象仪使用的不同要求设计的扫描棱镜可分为反射式和透射式两大类。为了配合热象仪试制的需要,我们开展了Ge棱镜镀多层增透膜、玻璃棱镜和铝合金棱镜镀反射膜的研制工作。本文将分别把这几种棱镜镀膜后的光学特性作一介绍。

摘要:光轴方向的蓝宝石单晶片作为红外透过窗口材料使用时,经常遇到封接炸裂和红外透过率低等现象,这是与晶体本身存在的缺陷相联系的。本文通过从晶体制备过程中积累的和从器件应用中搜集到的现象,与单晶制备工艺联系起来对晶体应力及光散射的成因及改进措施作一分析。

摘要:本文详述了离子束辅助淀积薄膜及离子轰击后处理薄膜的工艺装置。用新一代的离子源系统作为离子轰击源,e型电子枪为膜料的热蒸发源。首先进行离子辅助淀积工艺研究。用离子辅助淀积和常规淀积方法制备ZnS/MgF_215层(HL)~4(LH)~4单半波窄带滤光片。两种样品镀制后立即进行测试其曲线和放置18天后

摘要:MgF_2材料具有在3～5μm的波长范围内透过率高、强度高、热稳定性好的特点。MgF_2平板是在高温、高压、真空条件下成型的多晶材料,主要用于红外测试、制导、跟踪及热成象的光学系统中,以满足这些系统对大口径透射材料的需要,提高光学系统的性能。

摘要:渐变滤光片是继棱镜和光栅之后新发展起来的,用镀膜方法来实现的一种具有中等分辨率的分光元件。它具有重量轻、体积小及安装方便等优点。这种元件的研制成功,对光谱技术,特别对空间光谱技术及波长扫描具有重要意义。

摘要:随着红外宽带滤光片在红外技术各方面的广泛应用以及对它的深入研究,滤光片通带的矩形化越来越成为人们追求的重要技术指标。由于红外膜层较厚,精确控厚较困难。若用优化的方法进行矩形化设计,设计的膜系往往不易制备,例如改变膜层厚度将导致控厚困难;改变涂料折射率,则不易找到涂料。本文用规则的容易控制的光学厚度和容易镀制的

摘要:(以姓氏笔划为序)丁慧丁素珍于梅芳于福聚马可军马翼柱马波云王新德王民王绍泽王秀珍王旭升.王戎兴王家库王跃王留福王宝龙王宫俊方湖宝方晓明方家熊史向华乐洪发白淑华白自强田种运田如钧孙家龙孙及孙风桐孙秀英司承才刑作清朱三根朱龙源朱中权D4:A22泣29;通1,进砚卢3;刀9;刀3;迁20,AZ注;Cl,.CZ;口6;刀工3;口8;A41;A28;D6;D1;’E2;BZ;CS;A27;A32, A39,进42;A36;A4;B14;Cg;刀3;刀6;刀4;A42;B13;A3O;A40;E7;A42;A4O;C禽朱又迈EZ;汤定元A17, A31,五32,五33华新德湘1;刘兆鹏通38;·刘成赞那;刘激呜1 d4,过11,.A肠关振东通8;李…

摘要:碑越Hg伽T.材料与探河翔研究用淬火固态再结晶法半熔再结晶法和布里奇曼法组合生长Hg沁O几Te单晶沈杰、陈建中、马可军、余中和侧冷淬火一固态再结晶法制备的Hg协伽.Te单晶的质量沈杰、陈建中、乌可军、余中和丑gCd如快速定向凝固过程的传热数学模型及其数值分析沈杰、马可军、陈建中、余中和Te溶剂法生长H歇扁Cd.Te晶体及纵向组分均匀性研究;李捍东、刘激呜、乐洪发Hg协Cd.T可CdTe夕卜延层特性的研究何景福、魏天衙、李丽、陶长远、驻维莎液相外延生长H酮dTe外延层张小平、沈杰富蹄的啼镐汞相应的理论计算以及与实验结果的比较杨彦…

摘要:为了从富碲的碲镉汞[(Hg_(1-z)Cd_(?))_(1-y)Te_v,y>0.5]熔体中用液相外延法生长碲镉汞薄膜,研究富碲的碲镉汞合金的相图是十分必要的。本文用适合于富碲碲镉汞合金体系的规则缔合熔体模型(RAS模型)计算了z=0.060、0.078和0.160,而y取不同值的各种合金的液相线温度。z=0.060的液相线温度的计算值

摘要:本研究首先将载流子浓度为1×10~(15)cm~(-3)的N型<111>和P型<100>晶向的InSb材料磨抛,然后给予适当的表面处理,分别经AGW溶液恒流阳极氧化或PECVD法生长SiO_2膜,而后由电子束蒸发铝电极,组成MIS结构,在77K暗场下用C-V技术进行了电学测量和分析。指出阳极氧化与InSb界面有较高的负界面电荷(典型值为-1.0×10~(12)cm~(-2)),膜

摘要:InSb红外探测器的光谱响应范围在短波端与光电倍增管相衔接并恰能覆盖1至5微米大气窗口,因此一直受到普遍的重视。InSb(PV)探测器通常在液氮温度(77K)下工作,关于进一步降低工作温度的利弊,国外公认的看法是,当波长λ<2.5μm时,由于受热噪声限制,降温将提高D~(?)值,而在λ>2.5μm后,由于器件进入背景噪声限,加之量子效率随温

摘要:实验已经证明,结构完整的<111>CdTe单晶是用作碲镉汞晶膜液相外延生长的最佳衬底材料之一。但是制备结构完整的CdTe单晶体是非常困难的。目前,较力普遍采用的一种工艺方法是改进的布里奇曼法,这种方法对晶体生长的温度场有较高的要求,例如温度场的高稳定性,良好的重复性以及适宜的温度分布等。然而,以通常使用的数字给定装置来实

摘要:半熔再结晶法可由低x值的起始试料生长出高x值的Hg_(1-x)Cd_xTe,而其生长温度和Hg蒸汽压远比生长晶体所对应的熔点及其平衡耳g蒸汽压低得多。其生长驱动力是固体和半熔体之间因平均组分和温度不同而存在的化学势差。在熔体和半熔体中没有添加料补充的质量保守系统中,生长着的高组分材料不断将熔体和半熔体的CdTe耗尽,当生长界面的

摘要:为制备组分均匀的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶体材料,发展了圆柱形熔体侧面冷却淬火技术,以实现HgCdTe熔体的快速定向凝固。淬火所得的多晶锭经通常的固态再结晶后,单晶成品率很高。我们最关心的是晶体的组分均匀性,特别是横向组分均匀性。将晶锭横切成厚为0.8～1.0mm的圆片,研磨去刀痕和切割损伤,用失重法测定密度,除锭尾10mm左右

摘要:本课题考虑的实际对象是盛于石英安瓿内的(Hg,Ca)Te,处于熔点以上温度时,以一定的典型冷却条件实现定向凝固。应用Fourier定律及其建立在能量守恒原则基础上的导热方程,结合具体情形确定各自的边值条件,求解试料体内的温度响应,采用有限差分法,以差商代替微商,使Fourier导热微分方程转化为代数方程,在Apple-(?)微机上完成各相

摘要:通过对Te溶剂法长晶机理研究,改进了Te溶剂的长晶工艺,获得了纵向x组分均匀的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体。这些晶体符合原始化学配比。经一次热处理后,它们的载流子浓度大部分小于1×10~(15)cm~(3),使Te溶剂法生长Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的成品率由原来的5～10%提高到60～80%,用这些晶片已制备出高性能的红外探测器。

摘要:本文报道在CdTe衬底(111)面上用开管滑移系统从富Te溶液中液相外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的结果。我们用精心设计的石墨舟,准确定向的衬底,以及好的外延技术,得到了具有光亮表面的外延层。实验发现,外延层表面的光亮程度与CdTe衬底的取向偏离[111]的程度密切相

摘要:本文用滑舟式液相外延方法对HgCdTe薄膜的生长进行了研究。1.汞压控制。我们采用附加汞源的方法有效地控制了母液的成分。采用了三段温度分布的炉子。中间是反应区,温度为500℃。两边是控制汞压区。氢气流上方的汞槽在一定温度下产生汞蒸气压和反应区内母液的蒸气压相平衡。出口处的高温区形成热阻,以阻

摘要:掌握富Te碲镉汞母液的动态液相温度,对提高外延生长成膜率具有重要意义。本文报道在碲镉汞液相外延生长动态环境中,应用差热分析法测定母液的液相温度。动态测量会遇到许多问题:1)母液的熔化和降温生长时,汞压的变化而引起母液组分的变化2)附加汞的存在,氢气流不易控制而造成压力的变化,导致测量不易获得良好的重

摘要:在HgCdTe晶体的LPE生长过程中,汞的挥发将造成母液成分与工艺条件的不断变化,其结果甚至导致整个长晶工艺的失败。本工艺的特点是使汞蒸气压在LPE长晶管内持续地进行回流,从而达到维持母液内汞原子含量不变的目的。

摘要:HgCdTe的汞蒸汽压很高,使材料的制备与结晶过程的研究变得十分困难.采用高压回流的工艺生长HgCdTe晶体,可使整个长晶过程在一个开口的石英管内进行,汞的压力可严格地进行控制,从而避兔了闭管工艺所存在的一系列问题。高压回流的工作原理与扩散泵一样,当碲镉汞材料化合时,熔料内的汞元素被蒸发,在炉腔内高压惰性气体与陡峭的

摘要:为研制高纯度Hg_(1-x)Cd_xTe材料,我们对原材料进行了提纯,并用经过提纯的Te、Cd、Hg三种元素材料采用新的配料工艺,制备了纯度较高的耳gaCdTe晶体,获得了良好的结果。1)从Te、Cd、Hg三种原材料提纯后的检测结果看,提纯过的Cd与原材料Cd相比,其中的杂质元素Ca、Mg、Ba、Fe、Cu、Cr、Al、Mo等均可降低一个数量级。提纯过的Te与原

摘要:由于Hg空位的作用,高温下平衡的HgCdTe晶体是P型的。P型样品经低温处理后,转变为N型。在经各种不同条件处理的样品中,选择各种组分、结构较好、晶粒大的样品,在表面做电极,在77K至室温的范围内,在磁场强度为2kGs下,用范德堡法测量其霍耳系数R,电阻率ρ,计算载流子迁移率。根据测量结果,选出霍耳曲线在低温端有平台、77K迁

摘要:本文用塞曼效应石墨炉原子吸收光谱分析法(ZAAS)对淬火-固态再结晶制备Hg_(1-x)Cd_xTe材料的工艺进行了研究,探讨并建立了高纯原料(Te、Cd)、制备晶体的容器(石英、玻璃)及Hg_(1-x)Cd_xTe材料中杂质分析方法。结果表明:ZAAS法是Hg_(1-x)Cd_xTe材料研究中一种重要的痕量分析手段。

摘要:由于动量守恒和能量守恒的要求,固体中自由载流子的光吸收过程总是伴随着声子或电离杂质散射过程。声子和电离杂质散射的强度很大程度上决定了自由载流子吸收系数。对于像Hg_(1-x)Cd_xTe这样的极性混晶半导体,采用唐文国的双模Callen有效电荷就可以计算出光学声子的散射强度,对于给定的样品,它仅和温度有关。声学声子和无序散射都微乎

摘要:超晶格材料具有相应的合金系统所不具备的独特的光电特性、其性质取决于组成超晶格的材料组分和周期性厚度。分子束外延(MBE)和激光辅助淀积与退火技术(LADA)是两种现实的碲镉汞超晶格生长技术。外延生长EgTe/CdTe超晶格系统时必须考虑下列特殊

摘要:制备高性能HgCdTe多元列阵探测器,需要高质量的晶体材料。本文介绍了目前已有的HgCdTe薄膜外延生长工艺,比较了液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、有机金属化学汽相淀积(MOCVD)、激光蒸发淀积(LADA)等HgCdTe薄膜外延生长工艺的优缺点,着重

摘要:采用离子注入法做光伏器件,需要空穴浓度在2～6×10~(16)cm~(-3)甚至更低的P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料,所以要求准确测定弱P型材料的空穴浓度。由于Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中电子的迁移率比空穴的迁移率高得多,对空穴浓度低于4×10_(16)cm~(-3)的样品,温度接近77K时出现明显的混合导电,给空穴浓度的确定带来了困难。近年来对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Tb吸收边以下的

摘要:由自由载流子吸收下的样品透过率测量了HgCdTe导电类型、载流子浓度和吸收截面,该法属种非接触、无损伤测量,并能得到测量参数分布状况。这项工作是与光调制红外吸收技术测量HgCdTe少数载流子寿命同时完成的。我们有效地解决了用激光光源作为探针光

摘要:本文用输运测量方法,获得了不同电子浓度、不同组分(x=0.16～0.31)的样品的电子有效质量。对浓度较高的样品,亦即简并较强的样品,可以用Shubnikov-de Haas效应求出费密面所在的电子有效质量m~*(E_F/m_o。对于各向同性的非抛物型能带,简并化电子弹性散射和有碰撞加宽的情况,纵向和横向磁阻的振荡部分分别表示为

摘要:本文提出一种测量Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分均匀性的简便方法。该方法以相当可靠的黑体辐射公式为基础,利用Hg_(1-x)Cd_xTe样品本身的光截止特性,测量样品的截止波长,再用E_(?)-X经验公式求出样品的组分X。通过对样品的二维扫描,可求得Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分的面分布。透光因子的定义

摘要:前文提出了透光因子F这一量。通过测量F的大小,可以算得样品的截止波长λ_o,继而求得Hg_(1-x)Cd_xTe样品的组分X。目前,F与λ_o的关系是通过电子计算机求积分得到的,使用很不方便。

摘要:本文介绍我们在国产电子探针基础上建立的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体组分测定和评价的规范。几年来应用于大量样品的例行测试中,达到了快速准确的要求。实验方法。所用仪器为DX-3A型扫描电镜,附有波长分散型X射线谱仪。电子束加速电压为25kV。X射线取出角为30°。样品吸收电流为50nA。用CdTe作为标准样品。采

摘要:本征载流子浓度n_i是组分的函数,如果同时考虑到杂质和缺陷对载流子浓度的影响,就可能用载流子浓度来判别样品的组分。假设施主和受主都是单电离的。分别用N_d和N_a表示施主和受主浓度,则由电中性

摘要:测量x值的方法有13种,但都存在一些缺点。电阻判别法的原理是基于半导体具有一定的电阻,它与晶体的结构以及能带、电阻率、迁移率、载流子浓度、缺陷等有关,而Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的能隙E_(?)又直接与x值有关。从经典电阻公式推导出电阻

摘要:测量HgCdTe组分均匀性已有许多方法,但有些方法中仪器设备昂贵。而较为简单的方法,只能估算晶片的平均组分,不能测组分分布。我们采用我所和复旦大学共同研制的SR-2自动扩展电阻探针仪,测量HgCdTe晶体微区电阻率分布,由此反映HgCdTe横向组分均匀性,获得了满意的结果,认为它是一种简便、实用而又比较精确的方法。

摘要:用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg_(1-x)Cd_xTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶法制备,晶片未经定向,实验用器件在单晶粒上制作以避免晶粒间界的影响。材料未经有意掺杂,生长出来的晶体为P型,为获得N型晶片,可

摘要:扫描电镜的电子束感生电压技术(SEM-EBIV)是研究半导体材料的有效手段,可以直观地显示材料中存在的势垒区。对N-Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te材料作适当的表面处理后,我们用蒸发的方法在材料表面淀积一层金属Pt,以形成M-S整流接触;把In直接焊到金属膜上作为电极。在国产DX-3A型扫描电镜上,采用EBIV技术在温度100K对这种结构进行了研究。直接观察到在金属膜周围

摘要:本文重点介绍采用X射线衍射仪对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析。在只经研磨的晶片的X射线衍射图谱上,2θ角在20°～90°的范围内有(111),(220),(311),(331),(420),(422)等品面的衍射峰出现,属多晶衍射谱。将此晶片仔细抛光后,其衍射峰数目急剧下降。通常只有一个峰,有的为(111),有的为(220)或(420)等。

摘要:由于ZnTe具有比CdTe位错密度低,缺陷浓度低,机械强度高等优点,尤其是通过调节zn的含量,可使Cd_(1-x)Zn_xTe晶格常数与各种组份的Cd_(1-y)Hg_yTe的晶格常数相匹配。因此普遍认为Cd_(1-x)Zn_xTe是代替CdTe作为Cd_(1-y)Hg_yTe晶体液相外延衬底的一种较希有

摘要:材料选择对于提高探测器的成品率,是非常重要的,尤其对于研制多元探测器及大面积二维列阵更是如此。以往一般仅从材料的宏观结构、电学参数去考虑,而我们在实验中发现材料的光学特性、晶体缺陷等因素与探测器性能关系密切。本文主要报道这一实验结果,为

摘要:Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管在低温下受到表面漏电的限制,目前对表面漏电机构的认识还很少。利用栅控二极管从外部改变PN结附近的表面势可以消除表面漏电,并为研究表面电流机构提供有效手段。本文报道我们在Hg_(1-x)Cd_xTe栅控二极管上得到的一些实验结

摘要:本文根据对阳极氧化膜与(Hg、Cd)Te界面特性的电子能谱和MIS C-V测试结果,讨论了用阳极氧化膜作光伏探测器钝化膜的可能性。提出了在(Hg、Cd)Te表面先生长一层约0.01μm阳极氧化膜作表面预处理的新设想。(Hg、Cd)Te为衬底的探测器目前常规使用的钝化膜有阳极氧化膜ZnS和SiO_2及它们

摘要:本文测量了x=0.275Hg_(1-x)Cd_xTe PN结在不同测量频率下的电容电压特性。实验结果表明,当f=1MHz时,PN结正向电容出现负值,f=5MHz时,电容不再变负,但电容峰是明显的,当f=10MHz时,峰值已不明显,这说明PN结中载流子的深能级-带隧道穿透

摘要:Hg_(1-x)Cd_xTe材料是一种缺陷半导体,它既可通过控制缺陷成结,也可用掺杂方法成结。掺杂的方法又有扩散及离子注入两种。对不同形式的Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的性能进行研究,将有助于对Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的物理过程的理解。另一方面,平面工艺又是研制红外焦平

摘要:离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe是制备光伏红外探测器的关键工艺。国外已采用该工艺制备出高性能的HgCdTe多元列阵和焦平面器件。但其掺杂机制及退火机制尚不清楚,一般认为所有的元素离子注入P-HgCdTe均形成辐照损伤导致的N~+电学层,~(31)81P~+注入N-HgCdTe则形成P型层,是掺杂行为。本文着重报道我所近几年来用~(31)P~+注入N-

摘要:本文有针对性地考察了碲镉汞3～5μm12元光导探测器平均电阻R与材料电阻率ρ的关系。碲镉汞材料主要用快速淬火固态再结晶法生长,为与其比较,也少量使用了T_e熔剂和布里奇曼法料。退火的晶片厚度约1mm,77K霍尔数据表明,N型材料占被统计数(122片)的88%,材料参数多数为n=8×10~(14)～8×10~(15)cm~(-3)、μ=1×10~3～5×10~4cm~2/

摘要:在研究航天用光导探测器过程中,发展了一种适合于目前器件工艺条件下的特殊的拼接工艺技术,利用这一技术可以获得目前单片材料很难得到的小列阵多元光导探测器,以及多元多色器件和等平面组合多色器件。本文报道了10元线列阵HgCdTe光导探测器制备中关于材料选择,研磨和抛光,表面处理,器件筛选几个问题,以及10元线列阵探测器

摘要:工作于77K的8～14μm的HgCdTe光导器件,在2π视场300K背景下,器件的性能受背景限制。采用冷屏蔽以减小视场,可以使D_λ~*显著提高。本文利用我们导出的更为严格的光导器件探测率公式,选取合适的材料参数,计算和分析了在小视场情况下HgCdTe光导器件的探测率。

摘要:对于工作于77 K的8～14μmHg_(0.80)Cd_(0.20)Te光导器件,其材料的热平衡和本征载流子浓度处于10~(14)或10~(13)cm~(-3)的数量级。当背景辐射通量φ_B大于10~(16)cm~(-2)s~(-1)时,由背景辐射所产生的载流子数目将在器件中占相当的份额,成为不可忽视的因素。因此,在讨论此器

摘要:我们采用透射光谱方法对Hg_(1-(?))Cd_xTe材料进行分类,用此方法,不仅可以确定材料的组份,而且可以判定材料组分的均匀性。通过测量不同温度下的透射光谱,并根据透射光谱随温度的变化趋势,可判定材料的质量,这种方法无损伤,且比其它方法更为有效。

摘要:本实验使用真空加热烘烤来脱附表面残气,在不影响器件性能的前提下,即在器件能经受的热负载条件下,尽量提高烘烤温度,最大限度地脱附真空层内吸附的残气,同时应用四极质谱系统记录相应的谱图,以分析杜瓦瓶在加热烘烤时脱附的残气。

摘要:HgCdTe红外探测器的噪声很低,为了不降低探测器的性能,配用前置放大器的噪声应低于2nV/(1/Hz)~2。作者曾经详细分析了这个问题并指出:分立型低频低噪声晶体管3DX6适于大部分中、长波HgCdTe探测器的要求。随着对放大器小型化的需要,以及多元探测器对放大器的低噪声的需要增加,迫切要求有适合于HgCdTe探测器使用的集成化低噪声

摘要:采用直拉方法制备锑化铟单晶,其原料为经过多次区域提纯的锑化铟多晶锭条,尽管其纯度很高,但仍然存在一些剩余的杂质,尤其在锭条的前部和后部杂质更多些。在拉晶之前还要经过许多工艺过程,如测试、切割、清洗、装炉等步骤、环境气氛、试剂和拉晶用品均会带进一些杂质,存在一定程度的沾污,按经验,一般可存在6×10~(13)～1×10~(14)cm~(-3)的沾污量,严

摘要:InSb多元器件的制作较复杂,其中某些关键工艺对器件的性能,成品率及可靠性影响极大。为了找到一种适用于InSb多元器件制作的较理想的工艺流程,本文对这些关键工艺进行了一系列的研究和分析,获得了满意的结果。扩散工艺即成结是制作多元器件的重要一步,扩散结的好坏,均匀性、结深选择是否适当,对器件的特性有决定性影响。器件的量子效率,光电流和反向饱和电流与结深有直接的

摘要:采用串扫红外系统,探测器列阵与扫描方向平行,每一探测器都要扫描同一视场像元,整个线列的工作不产生固定图案噪声,降低了对探测器均匀性的要求。可解决热成像系统中存在的高背景、低对比度问题。

摘要:本文叙述了应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,对InSb光伏器件的表面进行钝化。实验中采用正交实验的方法,选择了射频功率、反应气体的流量比、衬底温度等三种工艺因素,及其三个位级的变化所引起的对锑化铟器件上淀积的二氧化硅钝化膜的物理、化

摘要:外延生长采用水平滑动式液相外延法。衬底为掺Ge的InSb单晶片。母液中掺Te,浓度10~(18)～10~(19)/cm~3。用微量回熔线性冷却工艺,基本解决了母液和基片的浸润问题。并获得符合要求的外延层厚度。对这一工艺在420℃下的生长动力学进行研究,从实验上得出生长速率和时间的关系为V∝t~(1.67),因此界面过程对生长也有一定的影响。霍尔测量表

摘要:PN结深度是制备半导体器件的所需重要参数之一。要测量结深,通常须把结剖面显露出来;一般采用的化学染色法,对于很多半导体都是适用的,并已成功地用于PN结研究,但是很难显示InSb的结剖面。IuSb晶片在KOH、NaOH等电解液中阳极氧化时,其氧化速率与样品掺杂浓度密切

摘要:1985年9月,我们测试了云南天文台进口的两套InSb光伏型红外探测器系统。并利用这两套系统做了许多红外天文课题的测量工作。InSb系统由三个主要部份组成:InBb探测器、金属杜瓦瓶和固定子杜瓦瓶一侧的前置放大器。InSb器件与场镜、滤光片和孔径滑块以及作为第一级前放的JFET均安装在致冷

摘要:PN结光伏红外探测器的几何、光学和电学参量对其探测率D_λ~*的影响是相当重要的。它对器件的设计、制造和应用具有实际意义。对于这个问题,一些研究者致力于发展计算机模拟技术,更多的研究者是在某些简化近似条件下进行解析分析。

摘要:经过光伏红外探测器前表面入射的光子流进入器件以后,在器件的前后表面间可能发生多次光学反射。这种现象对器件的探测率的影响是一个令人感兴趣的问题。过去的文献对此问题尚未进行过定量讨论。我们对此问题作了解析分析,同时还考虑了PN结的空间电荷区的作用,采用了耗尽近似。

摘要:红外探测器是各种红外整机的关键部件,它的输出噪声的大小直接影响着整机的灵敏度。有些探测器在单独测试时,输出噪声并不高,但当它与整机联试时输出噪声有时高出数十倍,数百倍,甚至大到可以淹没信号的程度,以至整个装置无法工作。作者认为,整机上各种频率的机械振动和电磁场的干扰是引起探测器噪声增加的两个主要原因,而改变探测器

摘要:为减小光子型红外探测器的热噪声,通常采用降低探测器工作温度和提高其自身阻值的办法。例如,用于低背景辐射条件下的高灵敏InSb(PV)探测器,工作温度低达4.2K,零偏电阻高达10~8～10~(10)Ω,从而使器件的NEP值达到10~(-16)W/Hz~(1/2)的水平。在这种条件下,前置放大器常常成为限制灵敏度及系统性能的主要障碍。常用的互阻型前置放大器

摘要:为了配合我国中阻型红外探测器的应用,我们研制了一种XN351型低频低噪声集成运放电路。该器件具有国外OP-05,OP-07等精密低噪声运放的各种优良性能。内部采用特殊的齐纳修正技术,使输入失调电压相当低,在使用时不必再采用外部调零装置。为了展宽使用带宽,电路内部设有补偿网络,可使带宽达到1MHz以上。

摘要:为了进一步改进TGS晶体的性能,从结晶化学的观点考虑,选取了三元酸-磷酸或砷酸取代TGS中硫酸的研究,取得了较好的结果。为了防止退极化,又掺入少量L-丙氨酸,就形成了新的改性TGS类晶体-ATGSP和ATGSAs。测试证明,新晶体具有良好的热释电性能。

摘要:热释电红外探测器件的电压响应优值M正比于热释电系数与介电常数的比值。对于介电常数各向异性比较大的热释电材料,有可能采用偏离热释电轴的斜切方式来提高M值。本文对掺有L-α丙氨酸和磷酸的TGS晶体(简称ATGSP)进行了理论分析和实验研究,给出了M与斜切角度的表达式和最佳斜切角度θ_(op)与介电常数各向异性比值的依赖关系;测

摘要:为制备性能优良的热释电器件,必须提高器件受光面对入射辐射的吸收。材料对红外辐射的光谱吸收率是重要的基础数据,关于这方面的数据,文献很少报道。本文报道了TGS、DTGS和ATGSP等材料在10000～400cm~(-1)波数范围完整的红外透射和反射光谱,从而得到材料在这一波段的光谱吸收率。实验过程为,将上述三种晶体

摘要:LATGSe单晶,是掺L-α丙氨酸的三甘氨酸硒酸盐,分子式为研究此晶体存在的难题是,母液容易分解,析出无定型元素Se,晶体发红,且易开裂。故至今未见TGSe和LATGSe单晶的实际应用。我们通过多年的研究,解决了母液分解和晶体开裂等问题,获得了优良的LATGSe单晶体。结果如表1所示。

摘要:改性PZT陶瓷材料具有工艺简便、生产周期短、易于加工、物理化学性能稳定、成本较低等优点,而且居里温度高、承受辐射功率大,是一种富有吸引力和竞争力的热释电材料,特别在大功率激光测量中具有很广阔的应用前景。我们研究比较了Zr/Ti为91.5/8.5～95/5的数种配方,并通过掺杂改性制备了性能较好的PZT热释电陶瓷材料。

摘要:tgδ产生的热噪声是热释电探测器的主要噪声源,降低tgδ以提高热释电器件性能具有重要意义。实际测量的钽酸锂单晶损耗主要有三个来源: 1)本征损耗tgδ_1。它与材料贯穿电阻R_1及极化建立过程有关。测量频率较低时,钽酸

摘要:热释电探测器是一种室温宽光谱响应的红外探测器。它在分析仪器中有广泛的应用。获得宽光谱响应的常规方法是在光敏面内涂敷金黑等吸收系数高的材料。由于金黑吸收系数与波长成反比,为了提高长波吸收率,金黑的厚度必须很厚,这无疑会大大减小响应率。本文从Siberg推导的金属—透明介质—金属夹层结构的吸收率公式求得使吸收率与波

摘要:由于热释电晶体同时又是压电晶体,在其机械谐振频率附近,探测器的性能受到较大影响。A.M.Glass曾讨论了横向振动模压电谐振对LiTaO_3热释电探测器响应率的影响。本文讨论了纵向振动模压电谐振对面电极非自由悬吊型LiTaO_3热释电探测器介电噪声的贡献和由压电效应引起的振动噪声。

摘要:本文在考虑到上下表面和体内共同吸收的情况下,用一维热扩散模型给出了悬空型半透明热释电探测器响应率■的表达式,即

摘要:带阻抗变换器的热释电器件体积大,价格贵,不利于普及应用。本文介绍了一种小型的热释电探测器。在参数满足使用要求的前提下,我们改革了器件的结构和制作工艺,缩小了器件体积,降低了成本,克服了以往器件的缺点。

摘要:本文介绍探测器的构成。1)带有阻抗变换的探测头。其响应元采用悬空结构,阻抗变换探测头的场效应管是采用带有二极管的结型场效应组合管,二极管起偏置电阻作用,省去一只超高阻。阻抗变换头用金属壳密封,保护探测器的高阻抗匹配,使探测器性能的稳定性有保证。2)前置放大器。介绍电路原理图,简述其二极管在导通前,呈高阻状态,组合管的转

摘要:硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。近几年来,这种器件发展很快,性能有很大的提高。目前,人们正在发展长波硅肖特基势垒红外CCD,因此,对硅肖特基势垒二极管的光谱响应十分关注。本文对硅化

摘要:PbS光电探测器响应率高,制作工艺相对简单,能在室温工作,直到现在还一直被广泛使用着。PbS的光电特性在相当程度上决定了探测器的最终性能,因此研究它的光电特性是必要的。本文简单叙述我们对PbS探测器所做的实验测量及结果。电导与温度关系。对1~#～8~#共8个样品测量了暗电导-温度关系以及在300K背景辐

摘要:高温法PbS多晶膜形成的化学过程,是醋酸铅和硫脲混合液不断滴加NaOH液的过程。氢氧化钠与醋酸铅发生化学反应,同时促使硫脲水解,从而淀积为硫化铅多晶膜。从反应前期淀积液pH值变化,可以了解该化学反应的某些进程和规律。这对控制PbS多晶膜的性能,尤其是仔晶的性能是十分重要的。

摘要:在反偏、无光照、室温条件下测量了PiN硅光二极管(其光谱响应从0.4～1.2μm)中的电流噪声频谱。利用硅光二极管与高阻低噪声前置放大器的最佳组合法,在美国H-P3585A频谱分析仪上测量了20Hz～70kHz带宽内的噪声频谱。实验证实了对硅光二极管噪声机理的物理分析:在低频时,1/f噪声的贡献是主要的;在中频区,产生复合噪声(散粒噪

摘要:本文论述了用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上生长CdTe,并且用各种方法对CdTe外延层进行的研究。为提高衬底材料的质量。我们采用热壁外延方法在CdTe体材料衬底上再外延生长—层CdTe缓冲层,如果外延条件适当,缓冲层一般可使体材料的一部分缺陷消除或减少,好的外延层同经过仔细表面处理的体材料衬底一样是镜面的,因此可直接用作外延HgCdTe

摘要:热壁外延是一项很有前途的薄膜生长技术。其主要特点是:薄膜在尽可能接近热力学平衡的条件下进行外延生长,材料源损失极少。在生长系统中,衬底与材料源之间的温度差,是衡量是否接近热力学平衡条件生长的一个重要标志。我们在接近热力学平衡的条件下,用热壁外延技术生长出了质量优良的CdTe[111]方向单晶薄膜,其质量比衬底有较大的

摘要:采用垂直闭管无籽晶汽相输运生长CdFe晶体材料,晶体外现光滑,外径为14～20mm,长度约50mm,单个晶粒的介理面约8×10mm~2,晶面明亮如镜。对材料的结构和性质进行了测定并与熔体法进行了比较。用市售6NCd和Fe按配比秤量,或取合成的多晶源装在内径为14～20mm,长度为

摘要:N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-polish技术也仅得到了3cm~3的CdTe晶体。本文把原先自行设计的PbSnTe水平闭管汽相输运连续测速装置应用到CdTe晶体上

摘要:CdTe晶体的平衡蒸汽分压已有人测定,但对从熔体长晶和液相外延至关重要的CdTe熔体平衡蒸汽分压的测定,除熔点温度蒸汽分压外,尚未见报道。我们用光吸收法进行了测定,获得了比较满意的结果。光吸收法是基于从连续光源中分出待测物质特征波长的辐射能,被蒸汽中的待测样品

摘要:本文测量了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜的荧光光谱,并与CdTe体材料的荧光光谱进行了比较,证实了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜具有很高的质量。实验所用热壁外延CdTe薄膜的生长条件如下:衬底CdTe用Bridgman方法生长,晶向为(111),经机械抛光、化学机械抛光以及(酒精+Br_2)溶液腐蚀。外延之前,衬底在超高真空中在350℃温度下热处理。外延时,使用单个CdTe源,温度为470～550℃,衬底温度

摘要:CdTe晶体可用于制造太阳能电池、粒子探测器,又是外延HgCdTe的良好衬底,因此对它的研究是很有意义的。本文简要叙述了我们对CdTe晶体所做的电学特性测量及结果,它们在一定程度上反映了CdTe晶体的质量。实验所用的晶片来自五个晶锭。它们都是刚刚生长好的P型材料,未曾进行过特殊热

摘要:异质液相外延材料表面的平整光亮取决于异质界面的平整光亮。N-PbTe/P-PbSnTe双层异质外延中.P-Pb_(1-x)Sn_xTe是关键。为获得X=0.2结构完整性好而表面质量高的薄膜,我们采用两相溶液法,以Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te单晶片做衬底,来液相外延P-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te。通过俄歇能谱曲线和电子探针,测量表面上的夹裹物和沉淀物,证明是无碲的过剩铅和锡。我们