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目录 contents

    摘要

    红外热探测器的热学参数包括热容、热导、热响应时间,反应了结构信息和器件性能。精确有效地获得这些参数,对探测器的结构优化与性能评估具有指导意义。二极管型红外热探测器是红外热探测器的主要类型之一。基于二极管型红外热探测器的自热效应,提出了一种热学参数的电学等效测试方法,具有测量精度高且实现简单的特点。并对自制的一款二极管型红外焦平面阵列像元进行了测试,测试结果与理论分析相符,验证了方法的可行性。

    Abstract

    Thermal parameters of infrared thermal detector include thermal capacity, thermal conductance and thermal response time, reflecting the structure information and performance of detector. Accurate and effective measurement of these thermal parameters is important for device performance evaluation and optimization. A diode-type infrared detector is an important infrared detector. Based on the self-heating effect of diode-type infrared heat detectors, an equivalent electrical test method was developed. The method has the advantages of high precision and easy implementation. The pixel of the self-made diode-type infrared focal plane array was tested by this method. The results were in good agreement with the theoretical analysis, and the feasibility of the method was verified.

  • 引言

    红外辐射是一种在自然界普遍存在的电磁波能量,一切温度高于绝对零度的物体都会产生该辐射。采集并探测物体的红外辐射,可以重构物体特征,这在军事、工业、医疗等领域有着广泛的应用需[1]。根据对红外辐射响应方式的不同,红外探测器有光子探测和热探测两种类[2]。其中,红外光子探测器主要基于红外辐射的光电效应,红外热探测器则是利用红外辐射的热效应。红外热探测器由于避免了电子热运动产生的影响,因此可在室温条件下工作,具有质量轻、体积小、功耗小、成本低等特点,现已成为民用及中、低端军用的首选。

    红外热探测器根据信号读出方式的不同,又可分为电读出和光读出两[3,4],分别通过集成的高信噪比读出电路或非接触式的光路系统检出并显示信号。由于光读出红外热探测器尚存在着结构热串扰、响应不均匀、温控等问题待攻克,当前主流的红外热探测器基本采用电读出技术。电读出红外热探测根据敏感机理的不同可细分为:热敏电阻型、热释电型、热电堆型和二极管[5,6,7,8]。其中,二极管型红外热探测器以二极管作为红外敏感元件,噪声小、均匀性好、集成度高,是目前红外热探测器研究的热点之[9,10,11]

    热容、热导和热响应时间是二极管型红外热探测器的基本热学参数,不仅反应了探测器的结构信息,同时也直接影响着探测器的响应率和热响应速度。为此,科研人员在研究二极管型红外热探测器的热学参数方面开展了大量工作。Jiang等采用理论计算的方法估算了二极管型红外焦平面阵列单个像元的热容和热[12];Eminoglu等使用Coventorware软件仿真了二极管型红外焦平面阵列单个像元的热导和热响应时[13];Xu等利用ANSYS软件完成了二极管型红外探测器的三维模型构建,仿真得到了器件的热[14]。现有工作主要是通过理论计算或模型仿真来获得器件热学参数,对二极管型红外热探测器的结构设计与性能优化具有指导意义。但由于器件加工会相对于设计引入偏差,同时阵列间也存在着非均匀性,因此研究二极管型红外热探测器热学参数的测试方法对掌握器件的实际性能显得尤为重要。

    针对红外热探测器热学参数测试,目前国标中规定了热响应时间的测试方法:利用脉冲激光束垂直照射探测器表面,器件正向压降的上升或下降时间即为探测器的热响应时[15]。由于国标中只给出了热响应时间的测试方法,且测试系统复杂,所以研究人员又进一步在此基础上对探测器热学参数测试方法进行了发展。Yeong等根据热敏电阻型红外热探测器在固定直流偏压下的频率响应,测得了探测器的热容、热导、热响应时间和红外吸收[16]。Blanton等针对热电堆型红外热探测器提出了一种在吸收层上引入加热电阻的测试方法,通过加热电阻的焦耳热模拟外界热辐射,获得了探测器的热容、热导和热响应时[17]。刘子骥等根据热敏电阻型红外热探测器响应率与调制频率的关系,提出了一种热学参数分析方法,并测得了探测器的热响应时间和热[18]

    现有红外热探测器热学参数的测试方法主要集中在研究热敏电阻型和热电堆型红外热探测器的热学参数测试,而对二极管型红外热探测器还未有专门的研究。由于二极管型红外热探测器的核心敏感元件——二极管,其电学性能无论是I-V曲线,还是温度灵敏度-温度曲线,均不同于热敏电阻和热电堆,因此难以将已有的热学参数测试方法直接应用于二极管型红外热探测器,故需要结合其电学性能特点研究其热学参数测试方法。

    在此,本文首先利用二极管型红外热探测器的自热效应设计了一款测试电路,并基于能量守恒分析了器件热导、热容和热响应时间的测试原理;然后,结合二极管电学特性评估了本电学等效测试方法的测试精度;最后,利用所提出的方法对自制的二极管型红外焦平面阵列单个像元进行了热学参数测试,获得了像元的热容、热导和热响应时间,并将测试结果与理论分析值进行了对比,验证了测试方法的可行性。

  • 1 测试原理

    图1给出了二极管型红外热探测器热学参数的测试电路示意图。二极管型红外热探测器通过单刀双掷开关分别与可变电阻和固定电阻串联,并由恒压源供电。外界数字信号控制单刀双掷开关轮流选通可变电阻和固定电阻。可变电阻阻值大,导通时间长,可为探测器提供一长时间的小自热功率;固定电阻阻值小,导通时间短,可为探测器提供一短时间的大自热功率;开关的交替使得探测器获得脉冲功率。探测器在脉冲功率期间,其正向压降变化过程经缓冲器缓冲后由示波器采集。

    图 1
                            二极管型红外热探测器热学参数测试电路示意图

    图 1 二极管型红外热探测器热学参数测试电路示意图

    Fig. 1 The testing circuit schematic of thermal parameters for the diode type infrared thermal detector

    根据能量守恒,探测器在脉冲功率期间的热平衡过程可以表示为:

    CdΔTdt+G×ΔT=P
    (1)

    其中CG分别为探测器的热容和热导,P为探测器的脉冲功率,ΔT为探测器相对于环境温度的温度变化量,t为脉冲功率持续时间。

    在小自热功率持续期间,因小自热持续时间长,故探测器能达到热平衡状态。此时自热效应产生的热量等于器件热导耗散的热量,由式(1),探测器可获得高于环境温度的初始温度ΔT0,表示为:

    ΔT0=P0G
    (2)

    其中P0表示探测器的小自热功率。

    在小自热功率后的大自热功率持续期间,假设大自热功率P1恒为常量,则将式(1)积分,得:

    ΔT=ΔT0exp-tτ+P1G1-exp-tτ
    (3)

    其中,τ为探测器的热响应时间,可表示为:

    τ=CG.
    (4)

    探测器正向压降变化量ΔV与其温度变化量ΔT之间,存在关[19]

    ΔV=αΔT,
    (5)

    其中α为二极管的电压温度系数。

    综合式(2、3、5),并考虑到大自热功率持续时间远小于热响应时间,可得探测器正向压降V的一阶泰勒级数展开式为:

    V=V0+ΔV=V0+αP0G-α(P0-P1)Ct,
    (6)

    其中V0为探测器在环境温度下的正向压降。

    根据式(6),斜率k与热容存在关系:

    k=dVdt=-α(P0-P1)C.
    (7)

    改变小自热功率,则在t=0时,两次不同小自热功率P01P02情况下,探测器的正向压降V01V02之差与热导的关系为:

    V01-V02=-α(P01-P02)G.
    (8)

    通过式(7-8)可分别得到探测器的热容与热导,结合式(4),可进一步获得探测器的热响应时间。

  • 2 误差分析

    在测试原理分析中,假设加载在探测器上的大自热功率恒定。在实际测试中,探测器的大自热功率P1与其正向压降有关,可表示为:

    P1=Vdd-VVR,
    (9)

    其中,R为固定电阻阻值,Vdd为恒压源电压。

    图2为探测器归一化大自热功率与归一化正向压降之间的关系曲线。从图中可以看出:归一化大自热功率与归一化正向压降呈抛物线关系,当正向压降为恒压源电压的一半时,抛物线斜率为零,故可将该点视为理想工作点。

    图 2
                            归一化大自热功率与归一化正向压降的理论关系

    图 2 归一化大自热功率与归一化正向压降的理论关系

    Fig. 2 Theoretical relationship between normalized self-heating power and normalized forward voltage drop

    当探测器工作在理想工作点时,由式(5)可知,由于自热效应,探测器的正向压降会偏离工作点,此时探测器的大自热功率P1变为:

    P1=Vdd24R-14RΔV2.
    (10)

    从式(10)可以看出,由自热效应引起的探测器正向压降变化量ΔV,将使得大自热功率为一非恒定值,从而影响测试精度。在测试过程中,大自热功率持续时间将直接影响探测器焦耳热的产生,导致探测器正向压降变化,故大自热功率持续时间是引起大自热功率改变的主要因素。

    由式(7)可知,大自热功率会直接影响热容的测量精度,假设探测器热容相对误差η为:

    η=C'-CC,
    (11)

    其中C′为考虑实际情况后的热容值,C为理想情况下的热容值。

    以探测器的理论热响应时间为标准,对大自热功率时间进行归一化。同时,定义正向压降变化率为正向压降变化量与环境温度下探测器正向压降的比值。图3给出了假设探测器的电压温度系数为8.2 mV/K[20],探测器的热容相对误差、正向压降变化率与归一化大自热功率时间的关系。从图中可以看出:大自热功率时间越长,自热效应越明显,探测器的正向压降变化越大,热容的相对误差越大。当归一化大自热功率时间小于5%时,热容的相对误差小于3.2%。故在测试中将大自热功率时间控制在合适的范围内,即可保证探测器热容的测试精度。

    图 3
                            探测器的热容相对误差、正向压降变化率与归一化大自热功率时间的关系

    图 3 探测器的热容相对误差、正向压降变化率与归一化大自热功率时间的关系

    Fig. 3 Relation of the relative error of heat capacity of the detector and the rate of change of forward voltage drop to the normalized big self-heating power time

    根据式(8),探测器热导的误差由探测器的电压温度系数、正向压降和小自热功率决定。由于探测器正向压降和小自热功率均能精确测量,故热导的误差将主要由电压温度系数的变化引起。根据文[21],单个二极管在恒定偏置电流下的电压温度系数为:

    dVDdT=-Vg+βkTrq-V(Tr)1Tr,
    (12)

    其中,VD为单个二极管的正向压降,Vg为材料在绝对零度下的禁带宽度(硅为1.14 V),β为工艺参数(硅为3.5),k为玻尔兹曼常数,Tr为参考温度,V(Tr)为参考温度下的单个二极管正向压降。

    由式(12)可知,当Tr为室温时,二极管在室温附近的电压温度系数近似为常数。例如:在10 μA偏置电流下,结面积为7.4 μm×4.6 μm的单个二极管电压温度系数理论值为1.37 mV/K[20]。故当探测器自热效应引起的温升较小时,由本测试方法测得的探测器热导误差可以忽略。

  • 3 测试结果

    利用本电学等效测试方法,我们对自制的一款二极管型红外焦平面阵列像元进行了测试。图4(a-b)分别为二极管型红外焦平面阵列像元的三维结构图与扫描电子显微镜(SEM)照片。该像元主要由敏感区、悬臂梁、框架、吸收层以及锚点组成。内含6个串联PN结二极管的敏感区通过两根悬臂梁与框架相连并悬空。吸收层通过锚点悬空在敏感区上。吸收层吸收外界红外辐射后温度升高,该温度通过锚点传递至敏感区。敏感区的温度变化使得工作在恒定电流下的串联二极管电压随之变化,该电压变化由读出电路读出并实现成像。像元尺寸为35 μm×35 μm,表1给出了其具体的结构与材料信息。

    图 4
                            (a) 二极管型红外焦平面阵列像元的三维结构图,(b) 二极管型红外焦平面阵列像元的扫描电子显微镜图

    图 4 (a) 二极管型红外焦平面阵列像元的三维结构图,(b) 二极管型红外焦平面阵列像元的扫描电子显微镜图

    Fig. 4 (a) Three-dimensional structure of diode type infrared focal plane array pixel, (b) The scanning electron micrograph of the diode type infrared focal plane array pixel

    表 1 二极管型红外焦平面阵列像元的结构尺寸和材料

    Table 1 The structure size and material of the diode type infrared focal plane array pixel

    长/μm宽/μm厚/μm材料/μm
    敏感单元16.516.51.5SiO2Si
    悬臂梁3931SiO2,Al
    吸收层27.527.50.2SiNx

    将该二极管型红外焦平面阵列置于2 Pa的真空环境中,外接如图1所示的测试电路。其中,电源电压Vdd为10.9 V,固定电阻阻值为200 KΩ,选通时间为200 μs;调节可变电阻阻值分别为14.79 MΩ和10.2 MΩ,选通时间为200 ms。图5 (a) 为在两个可变电阻情况下,示波器(Agilent MSO-X2022A)采集的二极管型红外焦平面阵列单个像元自热功率和正向压降波形图。图中虚线是小自热功率与大自热功率的组合,其中大自热功率持续时间为200 μs。实线为在脉冲功率下的响应,可分为三部分:①部分表示像元在小自热功率期间达到热平衡阶段,此时像元正向压降恒定;②部分表示像元在大自热功率作用下,从稳态初始温度升温的过程,此时正向压降随着时间线性变化;③部分表示像元在小自热功率期间的非热平衡状态。通过该波形,可获得像元热容、热导以及热响应时间分别为1.49×10-9 J/K、6.70×10-8 W/K及22.1 ms。

    图 5
                            在不同可变电阻阻值下,二极管型红外焦平面像元自热功率和正向压降与时间的关系

    图 5 在不同可变电阻阻值下,二极管型红外焦平面像元自热功率和正向压降与时间的关系

    Fig. 5 Relation of time and self-heating power to forward voltage drop of the diode type infrared focal plane pixel at the different resistance values

    图6考察了二极管型红外焦平面阵列单个像元热容实测值与大自热功率时间的关系。图中,当大自热功率时间不大于1 ms时,即小于探测器响应时间的5%时,热容实测值基本保持不变;之后,随着大自热功率时间的增加,热容实测值迅速增大。因此,与理论分析一致,短的大自热功率时间有助于保证热容参数测量精度。

    图 6
                            二极管型红外焦平面像元热容与大自热功率时间的关系

    图 6 二极管型红外焦平面像元热容与大自热功率时间的关系

    Fig. 6 Relation of thermal capacity to time of big self-heating power of the diode type infrared focal plane pixel

    图7是利用变温探针台(Suess PA300)和半导体分析仪(Agilent B1500A)测得的像元在恒定偏置电流(10 μA)下的正向压降与温度关系曲线。图中:在室温附近,像元的正向压降随着温度增高而降低,且该变化呈线性关系,斜率表示像元的电压温度系数,为-8.8 mV/K。由此可以看出:当测试期间像元温度在室温附近变化时电压温度系数为常数,与理论分析相符。图8为二极管型红外焦平面阵列单个像元热导实测值与小自热功率的关系。小自热功率的调节通过改变可变电阻阻值(从14.79 MΩ到6.63 MΩ)实现,由于像元小自热功率引起的温升在室温附近,电压温度系数恒定,故如图8所示:热导随小自热功率的增大几乎不变,这与理论分析相吻合。

    图 7
                            二极管型红外焦平面阵列像元正向压降与温度的关系

    图 7 二极管型红外焦平面阵列像元正向压降与温度的关系

    Fig. 7 Relation of forward voltage drop to temperature of the diode type infrared focal plane array pixel

    图 8
                            二极管型红外焦平面像元热导与小自热功率的关系

    图 8 二极管型红外焦平面像元热导与小自热功率的关系

    Fig. 8 Relation of thermal conductance to small self-heating power of the diode type infrared focal plane pixel

    表2给出了二极管型红外焦平面阵列单个像元热学参数的电学等效法实测值与理论计算值、以及黑体辐射斩波法测试值的对照表。其中,电学等效法实测值是根据图(5)所示的自热功率脉冲获得,理论值是利用二极管型红外焦平面阵列像元的材料与结构信息,按照Jiang文献中提到的热学参数理论计算方法计算得到的;黑体辐射斩波法测试值是采用黑体辐射炉和斩波器的测试方法所测得。黑体辐射斩波法是通过斩波器对黑体辐射进行斩波来产生一个矩形脉冲辐射,其实验方法如下:用斩波调制频率为1 Hz的斩波器调制温度为120 ℃的黑体辐射,将被调制的辐射照射在工作于10 μA恒流下的像元表面,测量像元正向压降的变化即可测得热响应时间。图9为利用黑体辐射斩波法测得的二极管型红外焦平面像元正向压降与时间的关系,可以看出当黑体辐射照射到像元时,像元的正向压降减小。根据国标,像元正向压降减小到总变化量的63%时所需要的时间即为像元的热响应时间。通过波形可以得出像元的热响应时间为78 ms。由于被像元吸收的黑体辐射功率无法测得,故该方法无法进一步测出器件的热导和热容。从表中数据可以看出:电学方法测得的像元实测值与理论计算值较吻合,存在的细微偏差主要是由于器件加工工艺引起。黑体辐射斩波法所测得的热响应时间远大于电学等效法测试值与理论计算值,这是由于斩波器的斩波过程存在机械延迟,导致产生的脉冲辐射不是一个理想方波,从而引入了较大测量误差。

    表 2 二极管型红外焦平面阵列像元热学参数的实测值和理论计算值、以及与黑体辐射斩波法测试值

    Table 2 Measured values, theoretical values and the measured values by the blackbody chopper method of thermal parameters of the diode type infrared focal plane array pixel

    理论计算值电学测试法黑体斩波器法
    热响应时间/ms21.922.178
    热导/ (W/K)6.19×10-86.70×10-8
    热容/ (J/K)1.36×10-91.49×10-9
    图 9
                            利用黑体辐射斩波法测得的二极管型红外焦平面像元正向压降与时间的关系

    图 9 利用黑体辐射斩波法测得的二极管型红外焦平面像元正向压降与时间的关系

    Fig. 9 Relation of time to forward voltage drop of diode type infrared focal plane pixel by the blackbody chopper method

  • 4 结论

    本文基于二极管型红外热探测器的热平衡理论,结合二极管自身的电学特性,并利用探测器的自热效应,设计了一种二极管型红外热探测器热学参数的测试电路;基于热学参数的电学等效测试原理,详细分析了测试过程中的理想测试工作点与误差来源,进而提出了一种精确有效的测试方法。采用该方法,对自制的一款二极管型红外焦平面阵列像素进行了热容、热导和热响应时间的测试,实测结果分别为1.49×10-9 J/K、6.70×10-8 W/K和22.1 ms。测试结果表明:热学参数可通过测量探测器在脉冲功率下的正向压降变化获得,且可通过控制测试条件来保证所需的热学参数测试精度。该测试方法在测试过程中只需要基本的电学激励,无需外加脉冲红外激光等光学激励,从而极大地简化了测试系统,降低了测试操作的复杂度。有利于精确便捷地获得二极管型红外热探测器的热学参数,指导探测器的性能评估与结构优化。

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刘超

机 构:

1. 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心,北京 100029

2. 中国科学院大学,北京 100049

Affiliation:

1. Integrated Circuit Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

邮 箱:liuchao@ime.ac.cn

作者简介:(Biography):刘超(1993-), 男, 四川广安人, 博士研究生,主要研究领域为非制冷红外焦平面阵列探测器测试及故障诊断. E-mail: liuchao@ime.ac.cn

侯影

机 构:

1. 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心,北京 100029

3. 无锡物联网创新中心有限公司,江苏 无锡,214028

Affiliation:

1. Integrated Circuit Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

3. Wuxi Innovation Center for Internet of Things, Wuxi 214028,China

傅剑宇

机 构:

1. 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心,北京 100029

2. 中国科学院大学,北京 100049

3. 无锡物联网创新中心有限公司,江苏 无锡,214028

Affiliation:

1. Integrated Circuit Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

3. Wuxi Innovation Center for Internet of Things, Wuxi 214028,China

角 色:通讯作者

Role:Corresponding author

邮 箱:fujianyu@ime.ac.cn

作者简介:fujianyu@ime.ac.cn

刘瑞文

机 构:中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心,北京 100029

Affiliation:Integrated Circuit Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

角 色:通讯作者

Role:Corresponding author

邮 箱:fujianyu@ime.ac.cn

作者简介:fujianyu@ime.ac.cn

魏德波

机 构:

1. 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心,北京 100029

2. 中国科学院大学,北京 100049

Affiliation:

1. Integrated Circuit Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

陈大鹏

机 构:

1. 中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心,北京 100029

2. 中国科学院大学,北京 100049

3. 无锡物联网创新中心有限公司,江苏 无锡,214028

Affiliation:

1. Integrated Circuit Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

3. Wuxi Innovation Center for Internet of Things, Wuxi 214028,China

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长/μm宽/μm厚/μm材料/μm
敏感单元16.516.51.5SiO2Si
悬臂梁3931SiO2,Al
吸收层27.527.50.2SiNx
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理论计算值电学测试法黑体斩波器法
热响应时间/ms21.922.178
热导/ (W/K)6.19×10-86.70×10-8
热容/ (J/K)1.36×10-91.49×10-9
/html/hwyhmbcn/2019110/alternativeImage/d1ed140f-4382-47f9-a1b0-401a3d5766eb-F009.png

图 1 二极管型红外热探测器热学参数测试电路示意图

Fig. 1 The testing circuit schematic of thermal parameters for the diode type infrared thermal detector

图 2 归一化大自热功率与归一化正向压降的理论关系

Fig. 2 Theoretical relationship between normalized self-heating power and normalized forward voltage drop

图 3 探测器的热容相对误差、正向压降变化率与归一化大自热功率时间的关系

Fig. 3 Relation of the relative error of heat capacity of the detector and the rate of change of forward voltage drop to the normalized big self-heating power time

图 4 (a) 二极管型红外焦平面阵列像元的三维结构图,(b) 二极管型红外焦平面阵列像元的扫描电子显微镜图

Fig. 4 (a) Three-dimensional structure of diode type infrared focal plane array pixel, (b) The scanning electron micrograph of the diode type infrared focal plane array pixel

表 1 二极管型红外焦平面阵列像元的结构尺寸和材料

Table 1 The structure size and material of the diode type infrared focal plane array pixel

图 5 在不同可变电阻阻值下,二极管型红外焦平面像元自热功率和正向压降与时间的关系

Fig. 5 Relation of time and self-heating power to forward voltage drop of the diode type infrared focal plane pixel at the different resistance values

图 6 二极管型红外焦平面像元热容与大自热功率时间的关系

Fig. 6 Relation of thermal capacity to time of big self-heating power of the diode type infrared focal plane pixel

图 7 二极管型红外焦平面阵列像元正向压降与温度的关系

Fig. 7 Relation of forward voltage drop to temperature of the diode type infrared focal plane array pixel

图 8 二极管型红外焦平面像元热导与小自热功率的关系

Fig. 8 Relation of thermal conductance to small self-heating power of the diode type infrared focal plane pixel

表 2 二极管型红外焦平面阵列像元热学参数的实测值和理论计算值、以及与黑体辐射斩波法测试值

Table 2 Measured values, theoretical values and the measured values by the blackbody chopper method of thermal parameters of the diode type infrared focal plane array pixel

图 9 利用黑体辐射斩波法测得的二极管型红外焦平面像元正向压降与时间的关系

Fig. 9 Relation of time to forward voltage drop of diode type infrared focal plane pixel by the blackbody chopper method

image /

无注解

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  • 版权所有:《红外与毫米波学报》编辑部