基于相变材料的宽带高消光比非易失性光开关
DOI:
作者:
作者单位:

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室;2.上海大学微电子学院

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

O439

基金项目:

国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)


Broadband high-extinction-ratio nonvolatile optical switch based on phase change material
Author:
Affiliation:

1.State Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai;2.School of Microelectronics, Shanghai University, Shanghai

Fund Project:

National Natural Science Foundation of China (No. 62204250)

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    本文介绍了一种基于相变材料 Sb2Se3 的宽带、高消光比、非易失的 2×2 马赫-增德尔干涉仪(MZI)型光开关。在波长为 1550 nm 时,插入损耗 (IL) 为 0.84 dB,消光比 (ER) 达到 28.8 dB。器件的3 dB 带宽大于 150 nm。在 3 dB 带宽内,直通态和交叉态的消光比分别大于 20.3 dB 和 16.3 dB。Sb2Se3的晶化和非晶化功耗分别为 105.86 nJ 和 49 nJ。该宽带高消光比非易失性光开关在光互连和光计算中有极大的应用潜力。

    Abstract:

    In this paper, we present a broadband, high-extinction-ratio, nonvolatile 2×2 Mach-Zehnder interferometer (MZI) optical switch based on the phase change material Sb2Se3. The insertion loss (IL) is 0.84 dB and the extinction ratio (ER) reaches 28.8 dB at the wavelength of 1550 nm. The 3 dB bandwidth is greater than 150 nm. Within the 3 dB bandwidth, the ER is greater than 20.3 dB and 16.3 dB at bar and cross states, respectively. The power consumption for crystallization and amorphization of Sb2Se3 is 105.86 nJ and 49 nJ, respectively. The switch holds significant promise for optical interconnects and optical computing applications.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2025-01-02
  • 最后修改日期:2025-02-12
  • 录用日期:2025-02-18
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码