摘要:锗在张应变下可转变为直接带隙材料。提出了一种锑化镓上的金字塔形锗量子点,计算了不同量子点尺寸下的应变分布和能带结构。研究表明,扁平状更有利于实现直接带隙转变。当量子点宽度和高度分别为4-14nm和1-5nm时,可实现1.8-5.8μm的发光。设计了3.1μm的激光器,并计算了室温下的性能。当量子点平均尺寸波动为0.22时,最佳光学限制因子、波导层厚度和表面密度分别为0.013, 0.366 μm and 3.8×1010 cm-2,最小阈值电流为28.98 A/cm2。文章为中红外激光器的制备提供了一种可行的方案。