摘要:提出了一种中波640×512(25 μm)的碲镉汞偏振焦平面阵列。从线栅结构优化和串扰抑制的层面,对微偏振片阵列进行了精心设计;探索了一种低损伤的片上微纳制备工艺,经验证,该工艺与碲镉汞器件兼容良好。在完成微偏振片阵列的片上集成后,NETD仍能保持在9.5 mK以下。进一步地,为揭示主导消光比的潜在作用机制,设计了特殊的微偏振阵列排布方式,据此实验上证实了串扰效应是影响消光比的主要来源。将像元边缘的遮挡区域扩展至4 μm宽,能够将来自相邻像元的串扰率有效降低至大约2%,并实现在17.32~27.41之间的优良消光比。