摘要:本文报道1280 × 1024元InAs /GaSb II 类超晶格中/中波双色红外焦平面阵列探测器的研究结果。探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用叠层双色结构和顺序读出方式。运用分子束外延技术在GaSb 衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为中波1:6 ML InAs /7 ML GaSb和中波2:9 ML InAs /7 ML GaSb。焦平面阵列像元中心距为12μm。在80 K 时测试,器件双波段的工作谱段为中波1:3μm~4μm,中波2:3.8μm~5.2μm。中波1器件平均峰值探测率达到6.32×1011cmHz1/2W-1,中波2器件平均峰值探测率达到2.84×1011cmHz1/2W-1。红外焦平面偏压调节成像测试得到清晰的双波段成像。本文是国内首次报导1280 × 1024规模InAs/GaSb II类超晶格中/中波双色红外焦平面探测器。