摘要:本文报道了12.5微米的InAs/GaSb II类超晶格长波红外焦平面探测器。实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料。吸收区超晶格结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb)。探测器采用PBπBN的双势垒结构以抑制长波探测器暗电流。研制了规模为1024×1024,像元中心距为18×18μm的长波焦平面探测器。采用金属杜瓦封装,与制冷机耦合形成超晶格长波探测器制冷组件。在60K温度下测试了探测器各项性能。探测器50%截止波长为12.5微米,平均峰值探测率达到6.6×1010cmHz1/2W-1,盲元率为1.05%,噪声等效温差NETD为21.2mK。红外焦平面成像测试得到清晰的长波成像。