MOPA半导体激光器的偏振控制研究
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1.中国工程物理研究院应用电子学研究所;2.中国科学院半导体研究所

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Investigation of Polarization Characteristics in Semiconductor Master Oscillator Power Amplifier
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1.Institute of Applied Electronics, CAEP;2.Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences

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    摘要:

    主控振荡功率放大(MOPA)激光器的可以实现高功率、高光束质量输出而受到更多关注。为了提高MOPA激光器的偏振度以减小偏振合束时的效率损失,有源区采用InGaAs/AlGaAs压应变单量子阱,脊型波导1.35 μm的深刻蚀方案提高TE模式的光限制因子,锥形放大器采用金属应力调控增加量子阱中的压应变。结合这两种方案,不仅提高了两个区域的偏振度,同时减小了偏振角度差。采用标准工艺制备的MOPA器件实现了11W@15A连续输出和90%以上的偏振度。

    Abstract:

    To improve of polarization of master oscillator power amplifier (MOPA), the factors which have impact on the polarization characteristics of ridge and tapered waveguides are studied. The optical confinement factor of TE-mode in ridge waveguide is enlarged by 1.35 μm deep etching, whereas the TE optical gain in tapered amplifier is improved through on-chip metal stress regulation. Combining the methods above, the degree of polarization (DOP) of two section are prominently enhanced in addition to reduced polarization angle difference. Finally, a 90% DOP of the MOPA has been achieved by standard process fabrication.

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  • 收稿日期:2023-08-29
  • 最后修改日期:2023-09-21
  • 录用日期:2023-09-27
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