基于90纳米InP HEMT工艺的220GHz功率放大器设计
DOI:
作者:
作者单位:

1.中国电子科技集团公司第十三研究所;2.华东师范大学

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)


Design of 220GHz power amplifier based on 90nm InP HEMT process
Author:
Affiliation:

1.The 13th Research Institute, CETC;2.East China Normal University

Fund Project:

The National Natural Science Foundation of China (General Program, Key Program, Major Research Plan)

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    基于90纳米InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为210~230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm。

    Abstract:

    Based on the 90 nm InP HEMT process, a 220 GHz power amplifier Terahertz Integrated circuit design (TMIC) is designed. The amplifier adopts the on-chip Wilkinson power divider structure to realize the power synthesis of two-way five stage common-source amplifiers. The on-wafer measurement results show that the average small-signal gain of the power amplifier is 18 dB. The power test results show that the saturated output power of the power amplifier is better than15.8 mW from 210 GHz to 230 GHz, with a maximum output power of 20.9 mW at 223 GHz. The size of the TMIC chip is 2.18 mm×2.40 mm.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2022-05-11
  • 最后修改日期:2022-05-24
  • 录用日期:2022-05-29
  • 在线发布日期:
  • 出版日期: