1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室，上海 200050;2.中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室，上海 200083;3.中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083;4.中国科学院大学，北京 100049;5.查尔姆斯理工大学 微技术与纳米科学系，哥德堡 SE-41296
TN215
1.Key Laboratory of Terahertz Technology， Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology， Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200050， China;2.State Key Laboratory of Transducer Technology， Shanghai Institute of Technical Physics， Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200083， China;3.Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors， Shanghai Institute of Technical Physics， Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200083， China;4.University of Chinese Academy of Science， Beijing 100049， China;5.Department of Microtechnology and Nanoscience， Chalmers University of Technology， Gothenburg SE-41296， Sweden
Supported by the National Natural Science Foundation of China （Nos. 62075229 and 61775228）， and the International Science and Technology Cooperation Program of Shanghai （No.20520711200）
黄卫国,顾溢,金宇航,刘博文,龚谦,黄华,王庶民,马英杰,张永刚.采用Ga(In, As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱[J].红外与毫米波学报,2022,41(1):253~261]. HUANG Wei-Guo, GU Yi, JIN Yu-Hang, LIU Bo-Wen, GONG Qian, HUANG Hua, WANG Shu-Min, MA Ying-Jie, ZHANG Yong-Gang. InAs quantum wells grown on GaP/Si substrate with Ga(In, As)P metamorphic buffers[J]. J. Infrared Millim. Waves,2022,41(1):253~261.]
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