碲镉汞雪崩焦平面器件
作者:
作者单位:

1.中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;2.中国科学院大学,北京 100049;3.上海科技大学,上海 201210

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN215

基金项目:

国家自然科学基金 61705247国家自然科学基金(61705247)


HgCdTe avalanche photodiode FPA
Author:
Affiliation:

1.Key Laboratory of Infrared Imagining Material and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China;2.University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China;3.ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China

Fund Project:

National Natural Science Foundation of China 61705247Supported by National Natural Science Foundation of China(61705247)

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    摘要:

    碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56 μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为1616.焦平面器件在0~6 V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2.

    Abstract:

    HgCdTe APD is one of the developing trends of third generation inferred FPA detectors. In this paper we report the result on a 1616 arrays of HgCdTe avalanche photodiode with 3.56 μm cutoff wavelength. The operability in gain exceeds 90% and relative gain dispersion is lower than 20%. NEPh is about 60 at 6 V bias with excess noise factor close to 1.2.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

李浩,林春,周松敏,郭慧君,王溪,陈洪雷,魏彦锋,陈路,丁瑞军,何力.碲镉汞雪崩焦平面器件[J].红外与毫米波学报,2019,38(5):587~590]. LI Hao, LIN Chun, ZHOU Song-Min, GUO Hui-Jun, WANG Xi, CHEN Hong-Lei, WEI Yan-Feng, CHEN Lu, DING Rui-Jun, HE Li. HgCdTe avalanche photodiode FPA[J]. J. Infrared Millim. Waves,2019,38(5):587~590.]

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  • 收稿日期:2019-01-09
  • 最后修改日期:2019-07-08
  • 录用日期:2019-03-19
  • 在线发布日期: 2019-08-31
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