单晶硅材料电致双折射的研究
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O472.3

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国家自然科学基金 , 中俄协议项目


RESEARCH ON ELECTRO-INDUCED BIREFRINGENCE IN CRYSTAL SILICON
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    首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量X(3)的分量X(3)xyxy.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为⊿n=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为⊿n'=2.42×10-16E2.50.

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引用本文

张玉红,陈占国,贾刚,时宝,任策,刘秀环,武文卿.单晶硅材料电致双折射的研究[J].红外与毫米波学报,2008,27(3):165~169]. ZHANG Yu-Hong, CHEN Zhan-Guo, JIA Gang, SHI Bao, REN Ce, LIU Xiu-Huan, WU Wen-Qing. RESEARCH ON ELECTRO-INDUCED BIREFRINGENCE IN CRYSTAL SILICON[J]. J. Infrared Millim. Waves,2008,27(3):165~169.]

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  • 最后修改日期:2007-12-26
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