三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿
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O47

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国家重点基础研究发展计划(973计划)


GREATLY ENHANCED RESONANT TUNNELING OF PHOTO-EXCITED HOLES IN A THREE-BARRIER RESONANT TUNNELING STRUCTURE
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    研究了电子隧穿出射端嵌入1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23 nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.

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引用本文

朱汇,郑厚植,李桂荣,谭平恒,甘华东,徐平,张飞,章昊,肖文波,孙晓明.三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿[J].红外与毫米波学报,2007,26(2):81~84]. ZHU Hui, ZHENG Hou-Zhi, LI Gui-Rong, TAN Ping-Heng, GAN Hua-Dong, XU Ping, ZHANG Fei, ZHANG Hao, XIAO Wen-Bo, SUN Xiao-Ming. GREATLY ENHANCED RESONANT TUNNELING OF PHOTO-EXCITED HOLES IN A THREE-BARRIER RESONANT TUNNELING STRUCTURE[J]. J. Infrared Millim. Waves,2007,26(2):81~84.]

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  • 收稿日期:2006-11-27
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