In0.2Ga0.8As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点
中图分类号:

O482.3

基金项目:

国家高技术研究发展技术资助的课题(2002AA302107).

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方志丹 龚政 苗振华 牛智川 沈光地. In0.2Ga0.8As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点[J].红外与毫米波学报,2005,24(5):324~327]. FANG Zhi-Dan~.[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(5):324~327.]

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  • 最后修改日期:2004-12-23
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