O482.3
国家高技术研究发展技术资助的课题(2002AA302107).
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.
方志丹 龚政 苗振华 牛智川 沈光地. In0．2Ga0．8As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs／GaAs自组织量子点[J].红外与毫米波学报,2005,24(5):324~327]. FANG Zhi-Dan~.[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(5):324~327.]
