低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线
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TN623 TN405

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国家 973集成微光机电系统研究 (G19990 3 3 10 5 ),国家自然科学基金 ( 69975 40 9,10 3 740 95 ),上海应用材料研究与发展基金项目 ( 0 3 0 6)


LOW-LOSS CPW LINE ON LOW-RESISTIVITY SILICON
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    摘要:

    在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近 ,远小于在 2 0 0 0Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅 -氧化硅组合衬底 :在 0 33GHz范围 ,插入损耗小于 5dB/ 1.2cm ;33 4 0GHz范围 ,小于 7.5dB/ 1.2cm .

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    引证文献
引用本文

葛羽屏,郭方敏,王伟明,徐欣,游淑珍,邵丽,于绍欣,朱自强,陆卫.低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线[J].红外与毫米波学报,2004,23(5):357~359]. GE Yu-Ping, GUO Fang-Min, WANG Wei-Ming, XU Xin YOU Shu-Zhen, SHAO Li, YU Shao-Xin, ZHU Zi-Qiang, LU Wei. LOW-LOSS CPW LINE ON LOW-RESISTIVITY SILICON[J]. J. Infrared Millim. Waves,2004,23(5):357~359.]

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  • 最后修改日期:2003-12-03
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