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首页 > 过刊浏览>2004年第23卷第4期 >313-316
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溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响
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TM215

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上海市自然科学基金 ( 0 0ZE14 0 71)，江西省自然科学基金资助项目 ( 0 15 0 0 16)


INFLUENCE OF DEPOSITION POWER ON THE COMPOSITION, STRUCTURE AND PROPERTIES OF PZT THIN FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING
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    用射频(RF)溅射法在镀LaNiO3(LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0.52 Ti0.48 O3(PZT)铁电薄膜，沉积过程中基底温度为370℃，然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理(650℃，5min)．用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测量其组分，X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向，扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果，RT66A标准铁电综合测试系统分析Pt／PZT／LNO电容器的铁电与介电特性，结果表明，PZT薄膜的组分、结构和性能都与溅射沉积功率有关．

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引用本文

李新曦 赖珍荃 王根水 孙璟兰 赵强 褚君浩.溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响[J].红外与毫米波学报,2004,23(4):313~316]. LI Xin-Xi, LAI Zhen-Quan, WANG Gen-Shui, SUN Jing-Lan ZHAO Qiang, CHU Jun-Hao . INFLUENCE OF DEPOSITION POWER ON THE COMPOSITION, STRUCTURE AND PROPERTIES OF PZT THIN FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING[J]. J. Infrared Millim. Waves,2004,23(4):313~316.]

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  • 最后修改日期:2003-04-28
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