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As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数
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TN215

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中国科学院知识创新工程资助项目~~


SURFACE STICKING COEFFICIENT OF As IN MOLECULAR BEAM EPITAXY OF HgCdTe
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    报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .

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引用本文

吴俊,巫艳,陈路,于梅芳,乔怡敏,何力. As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数[J].红外与毫米波学报,2002,21(5):347~350]. WU Jun WU Yan CHEN Lu YU Mei Fang QIAO Yi Min HE Li. SURFACE STICKING COEFFICIENT OF As IN MOLECULAR BEAM EPITAXY OF HgCdTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,2002,21(5):347~350.]

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  • 最后修改日期:2002-02-21
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