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高亮度InGaN基白光LED特性研究
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中图分类号:

TN312.8

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国家“8 63”计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~


CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES
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    利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .

    Abstract:

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引用本文

李忠辉,丁晓民,杨志坚,于彤军,张国义.高亮度InGaN基白光LED特性研究[J].红外与毫米波学报,2002,21(5):390~392]. LI Zhong Hui ) DING Xiao Min ) YANG Zhi Jian ) YU Tong Jun ) ZHANG Guo Yi ). CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2002,21(5):390~392.]

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