中国科学院知识创新工程资助项目~~
报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密度小于 30 0cm-2 ,缺陷尺寸小于 10 μm ,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求
陈路,巫艳,于梅芳,吴俊,乔怡敏,杨建荣,何力.分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片[J].红外与毫米波学报,2002,21(1):67~70]. CHEN Lu WU Yan YU Mei-Fang WU Jun QIAO Yi-Min YANG Jian-Rong HE Li. MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF 3-in HgCdTe WAFER[J]. J. Infrared Millim. Waves,2002,21(1):67~70.]
